Intel继续提高缓存密度 FBC有望取代SRAM

由于架构方面的需要，Intel处理器通常都配备有大容量缓存，比如Core 2 Quad四核心曾有12MB二级缓存、双核心Itanium曾有24MB三级缓存。现在，Intel又准备继续提高缓存密度了，而且有意使用新的缓存类型。

2010年度超大规模集成电路技术研讨会即将于下月5-7日举行，Intel将会通过两个主题演讲，介绍他们在处理器缓存技术上的最新研究成果，特别是有望取代现有SRAM的“浮体单元”(Floating Body Cell/FBC)。

SRAM和eSRAM是目前最常用的两种嵌入式内存，其中前者有六个晶体管，体积较大，但速度非常快，制造难度也很低，而后者每个单元只有一个晶体管和电容器，体积小了，速度却也慢了，制造也很困难。FBC就是集这两种技术之长于一身，每单元仅有一个晶体管，比SRAM轻巧很多，同时速度又比eSRAM更快，制造也相对简单。

据了解，Intel已经成功制造了22nm新工艺FBC存储器，而且使用的是非常适合大批量生产的Bulk晶圆，相比此前试验使用的SOI晶圆在成本上低廉很多。

另一份论文中，Intel还描述了如何在一个FBC存储器的后栅(back gate)中选择性地掺入杂质而不影响设备的其他部分，从元件尺寸看难度相当大。

除了Intel，伯克利和东芝也都在致力于FBC技术的研究，但实现方法和Intel有些不同。