茂德为尔必达试产63nm DDR3芯片

来自业界的消息称，茂德目前已经开始为尔必达试产63nm DDR3芯片。而尔必达与力晶半导体的合资公司瑞晶电子也表示，在将生产工艺升级到45nm之前，他们将加大63nm DDR3芯片的产能。

消息指出，茂德悄无声息的加快了先前制定的计划采用尔必达的生产工艺进入试产阶段。不过DDR3芯片的批量生产还得等到今年下半年，到年底时，茂德每月为DDR3芯片生产提供的晶圆产量将达到3.5万片。

2009年11月，尔必达与茂德达成DRAM代工协议。根据协议，尔必达将向茂德提供先进制程技术与产品技术，而茂德则会在其位于台中科学园区的12寸晶圆厂为尔必达代工制造DRAM颗粒。此代工服务主要以尔必达最先进的1Gb DDR3颗粒为主。

作为尔必达在台湾的子工厂，瑞晶电子50nm以下更高级别处理工艺的升级计划受到了沉浸式扫描机交货日期推迟的影响，不得不推迟。此前，瑞晶电子打算在二季度开始采用45nm生产DRAM颗粒。

消息称，瑞晶电子5月份才能受到沉浸式扫描机的仪器设备。无奈之下，瑞晶电子决定增大63nm DDR3颗粒的产能，每月提供的晶圆数量从开始时的2万片增加到5-6万。

此外，尔必达的63nm工艺能够将茂德和瑞晶电子的1Gb DRAM颗粒生产成本降低到1.5-1.6美元。升级到45nm后，成本还将下滑到1.2-1.3美元。根据市场调研公司DRAMeXchange上周发布的数据，1Gb DDR2和DDR3芯片的现货价格已经突破了3美元。