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CES开幕前,OCZ就已经抢先公布了自己的新品固态存储阵容,其中的性能王者要数使用PCI-E x8接口的Z-DRIVE系列,现在我们就来看看会场中的产品真容。
Z-DRIVE新品中的最顶级产品是针对企业市场的Z-DRIVE e88,使用Indilinx闪存控制器,LSI RAID控制器和SLC闪存颗粒,容量512GB或1TB,标称读写速度达到1.5GB/s读,1.4GB/s写。会场上展示的则是低一档的p88,换用MLC颗粒,控制器方案则仍然是Indilinx+LSI,标称速度1.3GB/s读,1.2GB/s写。
可以看到,这块1TB容量的“固态存储卡”使用了双层PCB,8组16条(512GB版为单层4组)标准的SO-DIMM笔记本内存插槽,只不过其中插入的是“NAND闪存条”而非DRAM内存条。据称这样的方案可以节约成本,并且一旦部分闪存出现损坏还可以随时更换。
每组闪存条搭配一颗Indilinx Barefoot闪存控制器和缓存,1TB版共有8颗,再集合到LSI控制芯片组建RAID。根据会场上一台双路服务器系统的实地测试,其在CrystalDiskMark中测得的读取速度“只有”580MB/s,写入速度778MB/s。ATTO则测出64MB区块读取713MB/s,写入1039MB/s,均低于标称值。看来在固态存储时代,这些传统硬盘测试软件已经不适应性能成倍提升的新概念SSD,无法给出一个统一准确的结果。
另外,同时展出的还有OCZ的其他固态硬盘新品,比如USB 3.0接口移动固态硬盘,SandForce方案的Vertex 2系列,SAS固态硬盘等。
USB 3.0移动固态硬盘
SAS固态硬盘
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