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导体厂商Hynix海力士昨天宣布他们开发出了业界首块使用每储存单元3比特（three-bits-per-cell）技术容量为32Gb的NAND闪存芯片。
同目前广泛使用的MLC NAND闪存芯片（每储存单元2比特）相比，这种闪存芯片最大的优点就是体积更小，约比前者小30%。
这种新型NAND闪存芯片有望在数码相机、USB闪存盘、移动电话和音乐播放器等领域一展身手。Hynix计划从今年10月份起量产这种闪存芯片。
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