50nm制程转换瓶颈！四大NAND闪存厂商产能原地踏步

全球四大NAND型闪存制造厂三星电子（Samsung Electronics）、东芝（Toshiba）、海力士（Hynix）及IM Flash等，尽管已经想尽办法全力解决50纳米制程转换不顺、新制程良品率偏低的问题，但经过逾一个季度至今仍然是原地踏步，良品率可说是丝毫未有提升，加上全球NAND闪存市场已进入需求旺季，下游客户端已提出警讯，未来6个月四大厂产能加总，扣除给予苹果（Apple）需求后，几乎可以确定NAND闪存市场将出现比预期更加严重的供不应求。

近3个月来，包括三星、东芝、海力士及IM Flash等NAND闪存制造厂，均卯足劲设法提升50纳米先进程制良品率，而内存生产商如此积极抢进新制程技术，最主要原因系看准一波波市场需求成长，为进一步藉由新制程技术提高产能，并增进NAND闪存产品线获利。不过，四大NAND闪存厂商却遭遇到了50纳米制程转换的瓶颈，尤其至今已经过逾一个季度的全力改善，却仍无法将良品率有效提升，可说是陷入原地踏步的窘境。

值得注意的是，全球NAND闪存总产出量无法快速拉升，如今又将进入市场需求旺季，尤其苹果iPhone及iPod对于NAND闪存需求与日俱增，以及年底圣诞节采购旺季跟着来到，全球NAND闪存需求在未来几个月内只增不减，供货缺口恐将日益扩大。

内存生产商便大胆预期，未来几个月全球NAND闪存市场将由于四大NAND闪存厂商产能无法有效产开，在市场需求却是源源不绝开出的情况下，势必将出现比预期还要严重的供不应求，而这也促使多家市调机构近期预测，未来NAND闪存合约价格将持续上扬，现货市场也将因供应量明显萎缩而出现易涨难跌情况。

事实上，过去NAND闪存大厂在新世代制程技术转换时，都会发生整体产能明显下降的状况，不过，按照过去生产商转换制程的经验来看，要将新世代制程良品率调到正常水平所需花费时间，顶多是1个多月左右，如今这四大NAND闪存制造厂却已花了超过一个季度的时间，但生产线良品率依然处于原地踏步的阶段，难怪所有下游NAND闪存卡制造商均感到忧心忡忡，担心未来价格将逐步垫高。

此外，内存生产商也透露，除因为新制程技术转换不顺、导致良品率无法提高进而影响到整体产量外，另一方面，由于新产出的NAND闪存颗粒属于新世代制程技术产品，下游NAND闪存控制IC厂商至今也仍然无法有效供应新制程技术颗粒所需要的控制IC，这更进一步限制了下游记忆卡厂商未来的出货量，并有可能形成另一个市场增长的瓶颈。