25nm间隔孔列试制成功 磁录密度超每平方英寸Tbit

山形富士通、富士通研究所、神奈川科学技术研究院（KAST）光科学重点研究所室益田研究小组共同努力，成功地以25nm间隔在氧化铝上以一维方式排列出了纳米孔。纳米孔是通过阳极氧化形成的。不仅有望实现记录密度达1Tbit/平米英寸的磁记录，还能将硬盘磁记录介质的记录容量提高到现有产品的5倍以上。

此次的纳米列

在1月7日于美国巴尔的摩举行的磁技术国际会议“Joint MMM/Intermag Conference（MMM-Intermag 2007）”上对该技术进行了详细发表。此次开发的技术是一项旨在实现Tbit级垂直磁记录介质的基础性研究，是受日本科学技术振兴机构（JST）的委托作为创新技术开发研究项目而实施的。研究时间自2004年至2006年度，共历时3年。

可增加硬盘记录密度的垂直磁记录的研发工作早已进入实用化阶段。业内认为今后为了实现密度更高的磁记录，需要采用以人工方式对磁性材料进行规则排列、称为“晶格介质（Patterned Media）”的记录介质。众所周知，由铝经过阳极氧化而成的氧化铝存在大量纳米级的纳米孔。通过在这些纳米孔中填充磁性金属，就有望实现晶格介质。

不过，氧化铝中的纳米孔有一个特点，它会以自生方式形成蜂窝状的六方形致密结构，因此不适合沿圆周方向进行磁记录的硬盘。因而该研究小组于2005年6月开发了先在铝表面以直线状形成凹凸图案，再对氧化铝纳米孔进行一维排列的手法。但当时的一维排列间隔最小只有45nm。此次通过对阳极氧化条件进行优化，在凹部内形成双列纳米孔，从而缩小了间隔。即使是间隔接近电子束绘制极限的50nm间隔的凹凸线也能在宽25nm的凹部两侧形成纳米孔列，从而实现了25nm间隔。

在凹部内形成双列纳米孔

除此之外，还在填充了磁性体的纳米孔磁性层（纳米孔为随机排列）下方，形成了用于将磁束向记录层集中的软磁性底膜，并成功地利用垂直磁记录头进行了记录和读取。今后准备制作以25nm间隔沿圆周方向排列纳米孔，并且含有软磁性底膜的记录介质，力争实现1Tbit/平米英寸级的记录与读取。