业界评析：NAND闪存进入战国时代

近期NAND型闪存产业正好与标准型DRAM呈现一消一长趋势，也牵动各大内存厂的产业布局。2007年三星电子（Samsung Electronics）、海力士（Hynix）将逐渐以标准型DRAM为主，取而代之的是东芝（Toshiba）和新帝（SanDisk）、英特尔（Intel）和美光（Micron）此2大阵营的全力扩产，而东芝阵营更誓言要取下40％市占率，加上巨人英特尔的Robsons技术即将在第二季问世，2007年各阵营势力的消长态势，绝对会是内存产业中精彩绝伦的年度大戏！

三星、海力士以标准型DRAM为优先配置

目前全球可分为6大NAND型闪存阵营，包括三星、海力士、东芝和新帝、英特尔和美光、瑞萨（Renesas）和力晶、奇梦达（Qimonda）和中芯。2006年扩产最积极当属三星和海力士，尤其是与东芝间MLC（Multi-Level-Cell）芯片的战争，近2年在经历阵痛期后，已慢慢将渐入佳境，为NAND型闪存开启MLC主导的世代。

就产能规划而言，由于三星和海力士同为标准型DRAM和NAND型闪存「双修」的内存大厂，在微软（Microsoft）新操作系统Vista将全面问世下，2007年厂商的产能多以标准型DRAM为优先配置，对于递延许久的PC产业换机大行情，谁也不愿错过此波大商机。

反观东芝和新帝、英特尔和美光2阵营，2007年对于抢攻NAND型闪存产业的市占，可谓是磨刀霍霍，主要是此2阵营不需考虑标准型DRAM业务，在没有后顾之忧的情况下，对于2007年NAND型闪存的扩产进度，绝对是频下猛药。

东芝和新帝誓言挑战三星霸主地位

目前NAND型闪存是东芝最赚钱的业务之一，东芝对于NAND型闪存市场的企图心当然是相当旺盛，目标是与新帝连手，预计在2010年抢下全球40％的市占率，以2006年第三季全球NAND型闪存大厂的排名来看，三星市占率为43％，东芝为27.8％，东芝这个目标是直冲三星而来。

东芝向三星下战帖的企图心，可不是说说而已，过去东芝也曾是标准型DRAM的玩家之一，然经历几次景气循环的大波动，东芝选择在景气不好时，缩手投资动作，导致大环境景气上扬时，产能和经济规模追不上竞争对手，最后落得退出标准型DRAM领域的下场。

有了标准型DRAM的经验借镜，东芝记取在景气低迷时，也要不断投资的教训，这次在NAND型闪存领域上的投资，可谓下足猛药。尽管2006年NAND型闪存诡谲多变，且跌价速度大于预期，然东芝仍是毫不缩手，誓言挑战三星霸主地位，加上东芝是全球NAND型闪存技术者，若拱手将此江山送人，面子上也挂不住。

除了2006年与新帝大量投入资本支出，持续扩充产能外，更预计在2007年之后，再扩增4座NAND型闪存芯片厂，一手打造全球共8座的NAND型闪存晶圆厂。

除了东芝、新帝阵营积极抢占市占率外，英特尔和美光的联盟，2006年虽然行事低调，但却是业界相当敬畏的对手，2007年IM 闪存的产能即将开出，对于整个NAND型闪存产业的影响力，各界皆不敢忽视。

英特尔默默耕耘　Robsons技术即将正式问世

以美光来看，针对2007的资本支出为40亿美元规模，其中就有15亿美元的预算，将用于投资IM 闪存的扩产进度上。

且与东芝的态度一度，即使面临跌跌不休的价格，美光依然不改其进军NAND型闪存产业的决心，主要也是看重未来几年内，NAND型闪存产业的投资报酬率，仍是远高于标准型DRAM产业，且美光的起跑点相较劲对手，已经落后，未来几年的投资，更是不能手软。

英特尔在NAND型闪存产业的布局相当低调，然2007年第二季其布局已久的Robsons技术即将正式问世，预计是英特尔将NAND型闪存产业产业导入个人计算机（PC）领域的重要一役，而其号召所组成的ONFI（Open Nand 闪存 Interface）目前虽然沉默，但实质已在为Robson技术默默布局当中。

英特尔在NAND型闪存领域的布局上，终极目标仍是以PC应用为主，目的是弥补硬盘效能的不足，包括Robsons技术和Solid State Disk（SSD）等，未来都会是英特尔的主力产品。

Robsons技术主要是结合硬盘和NAND型闪存，做为计算机中的储存媒介，而Solid State Disk则是以NAND型闪存为基础的固态磁盘，使用在笔记型计算机（NB）上，然在这些应用市场成熟之前，英特尔也会介入快闪记忆卡市场，作为进入NAND型闪存领域的前稍站。

虽然未来NAND型闪存产业蓬勃发展的趋势确立，然此产业毕竟是杀戮战场，且竞争相当剧烈，有人拼命扩产，也有人受不了价格如云霄飞车般的波动，因此忍痛退出市场，继日商瑞萨之后，奇梦达日前也表示退出此市场，显示NAND型闪存产业版图的整并，持续发酵当中。

瑞萨在2005年NAND型闪存产业一片大好之际，宣布退出此产业，让不少业者哗然，算是最早退出NAND型闪存领域的业者，实因瑞萨在NAND型闪存的技术上，走的是AG-AND型闪存阵营，不是主流的技术，在成本竞争力不足，且时势比人强下，只好急流勇退选择告别NAND型闪存产业。

目前瑞萨将AG-AND型闪存技术授权予力晶代工，以力晶为主要的生产基地，然力晶的老本行毕竟是标准型DRAM，在2007年Vista效应的预期心理下，力晶的产能规划会以标准型DRAM为主，加上与前面4大阵营相较，此阵营对于NAND型闪存产能的投资不算大，因此，2007年可表现的空间有限。

瑞萨、奇梦达相继退出　整并潮隐隐发酵

奇梦达是继瑞萨之后，第二家退出市场的NAND型闪存业者，这也显示NAND型闪存上游产业的整并潮，已开始隐隐发酵，未来各阵营势力的消长，将更加明显。

和瑞萨面临的问题有些相似，就是奇梦达采用的并不是主流的NAND型闪存技术，是采用NROM技术，授权自以色列半导体业者Saifun，中芯国际（SMIC）也是采用此技术，然与三星和东芝阵营传统的相比NAND型闪存技术，在成本和效能上较跟不上脚步。

奇梦达也表示，NROM技术所生产的NAND型闪存产品，市场接受度不高，影响公司整体的获利，未来将集中资源在标准型DRAM为主，抢攻Vista商机。

目前就产业面来看，三星、海力士、东芝和新帝、英特尔和美光这4个阵营，是采用传统的NAND型闪存技术，市场的接受度最高，而瑞萨和力晶、奇梦达和中芯国际分别发展的AG-AND技术和NROM技术，则是较冷门，因此以前景来看，未来与三星一挂的阵营最具优势。

整体而言，2007年NAND型闪存市场将进入战国时代，龙头老大三星已经错失50％市占率，面对强劲追兵东芝和英特尔的大力扩产，三星既要搭Vista商机，又想重新抢回50％市占率，能否双双如意，需要再加把劲。

再者，在PC应用崛起后，目前三星、英特尔各自发展不同的技术，三星是否可再独领风骚，更是市场关注的焦点，2007年NAND型闪存于PC上的应用将揭开序幕，也会将整个产业带领至重要的转折处。