飞利浦的新技术 30年内存老问题解决了？

皇家飞利浦电子（Royal Philips Electronics）的研究员表示，透过一种研究多年的技术，已经设计出可能可以取代现有计算机内存的材料。

这种由锑和碲所构成的薄薄一层材料，可以用来制造「相态变化内存」（Phase Change Memory）──这种内存的工作原理和CD及DVD盘片相当类似。雷射光照到材料层的显微点上之后取得反射，反射会随着显微点是否形成结晶体而将反射类型归类为数字数据的0与1。

如果这种材料能够商品化，所制作成的芯片有可能取代现有的DRAM、闪存，或者甚至硬盘机。

然而，如何让非晶体形成晶体却会是个挑战。一般而言，相态变化（phase change）的材料必需在几十亿分之一秒（ns，nanoseconds）内加热到几百度C──除了必需耗费很多电能之外，还要避免过多的热能改变了邻近的内存单元。例如，IBM的Millipede技术在写入数据时就要把数百个显微尖端加热到300度。

其它芯片厂商如Elpida Memory、英特尔，也都研究另一种相态改变内存──Ovonic Unified Memory有多年的历史。

回溯到1970年代，英特尔的联合创办人也是穆尔定律的发明者Gordon Moore就预测这项技术的未来前景，但是至今Ovonic内存仍然没有商品化的量产。

飞利浦表示，锑和啼所混合而成的材料在0.7伏特下就可以改变相态，相较于硅，可以说电压相当低。在原型实验里，30ns内就可以改变相态。

业界的研究人员不断的在寻找新的材料与结构，希望能够藉此跳脱穆尔定律的轮回。厂商希望藉由其它材料取代硅，让芯片更小、更快，更省电的同时，还能够降低制造成本。

采用这些新材料的芯片可望在未来二十年后问世。然而，目前还没有人能够保证有那种技术可以量产。