美光年内将量产90nm的2Gb级NAND闪存

来自日经BP社的消息，对于存贮卡等的需求扩大导致NAND型快闪EEPROM市场持续高速增长。迄今为止此类产品长期由韩国三星电子和东芝两家公司所垄断。最近DRAM厂商和NOR型快闪EEPROM厂商争先恐后地参加NAND型快闪市场试图打破两家公司的垄断局面。除了德国英飞凌科技、意法合资STMicroelectronics以及韩国Hynix Semiconductor等以外，大型DRAM厂商美国的美光科技（Micron）也是其中之一。本刊请该公司负责手机及数字家电产品等面向电脑以外用途的内存业务的Jan du Preez（Vice President of Networking and Communications Group）谈了该公司今后的战略。

美光公司的Jan du Preez

    我们决定参加NAND型快闪EEPROM理由有三个。首先由于受数码相机、摄像机以及USB闪存等用途的拉动，预计今后市场将进一步扩大。其次，我们是专业内存厂商，没有理由不涉足顾客需求很大的内存市场。换句话说，只要是有前途的存贮产品我们就一定要提供。再其次，从专利角度和制造技术的角度来看，我们参加NAND型快闪EEPROM业务的门槛很低。换句话说，我们无须向任何一家公司支付专利费或授权费。因为几年前当我们收购东芝的DRAM工厂（美国弗吉尼亚州的Dominion Semiconductor LLC.）时已经与东芝就多种半导体产品专利签署了交叉授权合同。在制造技术方面也完全没有问题。我们拥有并可应用NOR型快闪EEPROM的量产技术。可以在我们的DRAM工厂制造NAND型快闪EEPROM。

2007年打算NAND型获得18％～20％的市场份额

    我们希望到2007年，使NAND型快闪EEPROM的市场占有率达到当时的DRAM的市场占有率相同的水平。目前，我们的DRAM业务市场占有率在18％～20％左右。如果2007年的DRAM的市场占有率与目前相同，则NAND型快闪EEPROM的市场占有率目标自然也就确定下来。

   下面对于为实现这一目标制订的NAND型快闪EEPROM的具体产品化计划和开发计划做一下说明。作为最初的产品，我们将向市场投入采用最小加工尺寸90nm工艺制造的2千兆级产品。该产品中不会引进多值技术。在2004年4月～5月将向部分顾客供应工程样品。2004年底进行小批量量产，2005年以后一举扩大量产的规模。现阶段我们的NAND型快闪EEPROM业务是以晶元形态供应给手机的多芯片封装（MCP，multi chip package）厂商的。作为下一代产品，将在2005年底之前开发采用最小加工尺寸72nm工艺制造的4千兆级产品。该4千兆级产品中也不打算引进多值技术。不过，针对更进一步的大容量化和低成本化趋势，打算在今后两年内在其他品种的NAND型快闪等中采用多值技术。

开始供应MCP

   下面谈一下NAND型快闪EEPROM以外的存贮产品。迄今为止，我们向MCP厂商等以晶元形式供应手机配备的模拟SRAM、低耗电量静态DRAM以及NOR型快闪EEPROM等内存产品。除供应该晶元的业务外，从2003年12月份开始还向手机厂商等提供MCP产品。目的是为了与设备厂商和建立密切关系。如果只偏向供应晶元则只能与MCP厂商开展业务。这样一来很难与设备厂商建立联系，也就很难在开发下一代以后的内存产品时反映设备厂商的需求。