东芝与西部数据公司协力打造出96层3D NAND闪存芯片

正当我们逐渐熟悉64层3D NAND芯片之时，东芝与西部数据建立的合资企业又将相关技术提升至新的高度。双方指出，其合资公司已经生产出96层原型设计方案，而东芝亦推出了四层单元闪存技术。

相较于64层芯片，96层3D NAND芯片拥有高达50%的层数提升，因此从理论上讲其存储容量亦将提升达50%。然而实际情况似乎并非如此。东芝公司解释称，其采用BiCS4技术的最新芯片即使继续采用原有64层堆叠制程，每单位芯片尺寸的容量仍可直接增加约40%。

其原型设计96层三层单元（简称TLC）晶片拥有256 Gbit容量——相当于其所发售之64层晶片的一半。

而96层BiCS闪存将由东芝以及西部数据于四日市建立的Fab 5、全新Fab 2以及Fab 6（将于2018年夏季正式建成）代工厂负责制造。

东芝公司将未来还将利用96层技术构建512 Gbit芯片，同时推出一款四层单元（简称QLC）产品; 另外，西部数据则在讨论未来推出1 Tbit芯片的可能性。

西部数据公司存储器技术执行副总裁Siva Sivaram博士解释称：“BiCS4将适用于三层单元与四层单元架构……西部数据公司的3D NAND产品组合在设计上旨在面向消费者、移动、计算以及数据中心等各类终端市场。”

东芝公司已经公布了全球第一款QLC晶片，其存储容量为768 Gbit，且继续采用现有64层3D技术。该公司指出，这款QLC闪存存储器能够在单一封装之内配合16晶片堆叠架构提供1.5 TB存储容量; 这亦是目前业界内存储容量最高的固态存储设备。

东芝与西部数据双方表示，其96层产品的样品计划于2017的下半年开始交付，而批量生产则计划在2018年年内实现。其适用之场景包括企业与消费级SSD、智能手机、平板设备以及存储卡等。

两家公司认为，来自其合资企业的64层3D NAND总体产能将在2017年年内高于业务内的任何其它供应商。

东芝公司的QLC设备样品将于本月面向各SSD与SSD控制器供应商进行交付，旨在供其进行评估与相关开发。另外，这些样品还将亮相Flash Memory 2017峰会——此峰会将于今年8月7号到10号于加利福尼亚州圣克拉拉市召开。

不过除了技术领域的通力合作之外，东芝与西部数据之间还存在一些矛盾。今天东芝公司于东京起诉西部数据并要求其赔付1200亿日元（折合10亿美元，8.3亿英镑），指责后者因“干涉”东芝公司存储器业务相关投标程序而涉嫌不正当竞争。

评论意见

QLC闪存将存在使用寿命较低的问题——其实际使用周期可能仅为数百次全盘写入，甚至更低。这意味着此类产品仅适用于企业归档用例这类读取量远大于写入量的场景。具体来讲，用户可能拥有包括照片、图像、视频或者播客在内的大量文件需要快速访问; 这类似于Facebook用户查看其个人相册。尽管与传统磁带库所提供的离线磁带归档相比，使用闪存存储在成本方面明显更高，但相应访问速度也将得到极大改善。事实上，闪存访问速度甚至高于普通磁盘，而基于闪存的归档方案也应该能够带来远低于磁盘归档的功耗水平与物理空间要求——这一切都能从另一个角度实现成本节约。

与磁盘与磁带归档方案相比，可靠性、价格以及性能表现将成为最终决定QLC闪存驱动器归档命运的关键性指标。