台积电28nm工艺试制成功 明年初投产

台积电公司日前宣布，于业内首家成功使用28nm工艺试制64Mbit SRAM，达成良品率验证。

更重要的是，台积电此次分别在28nm高性能High-K金属栅极（简称28HP），28nm低功耗High-K金属栅极（28HPL）和28nm低功耗氮氧化硅（28LP）三种不同工艺上都实现了相同的良品率。台积电同时宣布，将28HPL工艺列入公司的28nm技术蓝图。

按台积电计划，28HP制程将于明年一季度末开始试产，主打高性能，将应用于CPU、GPU、芯片组、FPGA、网络、游戏机和移动计算等常规应用。

低功耗28LP将于明年二季度末开始试产，有低成本和可快速上市的优势，主要用于手机和各种移动应用。

而新增的28HPL工艺则强调在低功耗、低漏电的同时保证中高端性能，可用于手机、上网本、无线通讯、便携式消费电子设备等，预计于明年第三季度末开始试产。