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联电新加坡工厂扩产使用45/40nm工艺

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据报道,联电近日表示,他们在新加坡的Fab 12i晶圆厂已经开始启动扩产计划进行45/40nm工艺生产,联电的此次扩产计划也是为满足客户对先进制程技术的需求。

作者:张以军 来源:驱动之家 2009年10月9日

关键字: 晶圆 联电

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据报道,联电近日表示,他们在新加坡的Fab 12i晶圆厂已经开始启动扩产计划进行45/40nm工艺生产,联电的此次扩产计划也是为满足客户对先进制程技术的需求。

Fab 12i晶圆厂是联电的首个300mm晶圆厂,于2002年4月完工,并在2003年开始试产,目前的月晶圆产量为31000片,主要量产65/55nm工艺芯片。

联电称此次扩产计划极具“侵略性”,但是没有透露此次扩产所投花费、完成时间以及扩产后的产能。

联电负责晶圆厂运营业务的副总裁颜博文表示:“此次工厂扩产和技术升级兑现了我们当初对用户作出的承诺,同时能够拉动新加坡当地的就业,吸引更多的优秀工程师到联电来。”

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