ST上市SO8封装的1Mb EEPROM

意法合资公司意法半导体（STMicroelectronics）推出了一款采用宽度为3.8mm（150mil）的SO8N封装、配备串行接口的1Mbit EEPROM“M24M01”。该产品采用0.18μm制造工艺，在小型封装中实现了高密度存储。同时还提供采用SO8W封装，支持IC双线接口的产品。至此，该公司的IC接口EEPROM产品线包含了从1Kbit到1Mbit的各种款式。主要用于存储家电及医疗设备的设置和修改数据。

SO8封装的1Mbit EEPROM“M24M01”

时钟频率为100～400kHz。工作电源电压为1.8～5.5V。结构为128Kbit×8，支持字节写模式和页式写模式。256bit写入速度不到5ms。输入噪音过滤功能有所提高。数据保存时间超过40年，耐擦写能力为100万次以上。工作温度范围为－40～＋85℃。

现已开始样品供货。预定2007年2月开始量产。量产供货时的参考价格约为1.40美元。作为M24M01的姊妹产品，该公司还计划在近期发布支持SPI总线的1Mbit EEPROM。