英飞凌不甘NAND“追随者” 誓作DRAM龙头

许多内存厂商都在加紧扩大NAND闪存业务，德国英飞凌却在这一领域表现落后，很可能错失这一市场机会。“我们认为自己是DRAM领域中的领先者，”英飞凌内存产品业务副总裁Bernd Lienhard表示，“而在NAND市场，我们是追随者，我们处于追赶状态。”

英飞凌目前正在扩大1G NAND闪存的产量，采用的是从以色列Saifun Semiconductors Ltd.获得授权的技术。虽然英飞凌仍在从事这一市场，但该公司把更多的注意力投向了DRAM，将整个内存部门分拆出去的计划宣布已久，而以何种方式分拆尚未尘埃落定。

“我们的焦点放在DRAM、DRAM, 还是DRAM。”Lienhard在采访中如此表达，“今年，我们誓在成为全球最好的DRAM供应商。”据市场调研公司Gartner的数据统计，英飞凌在2005年是全球第四大DRAM供应商，排名位于三星电子、海力士半导体(Hynix)、美光(Micron)之后。而从iSuppli统计的数据来看，英飞凌2005年在NAND闪存市场中的排名从第五位下降到了第七位。

英飞凌似乎正错失NAND市场。由于市场对MP3播放器、USB闪存驱动和其它产品的巨大需求，NAND闪存市场正在迅猛增长。英飞凌的DRAM对手，如Hynix、美光和三星，都正在从NAND市场中受益。

但是，英飞凌在最新一代产品中，从170纳米跳到了110纳米。将来该公司计划把它的NAND生产从110纳米转向70纳米，从而越过了90纳米这一代。