Spansion明年中导入90纳米制程生产ORNAND

全球闪存大战方兴未艾，NOR型与NAND型闪存（闪存）市场泾渭分明的界线逐渐模糊，跨线（cross line）经营成了当前闪存制造业者的最新策略。NAND型闪存龙头三星电子（Samsung Electronics）欲以OneNAND型闪存，进攻NOR型闪存业者老本营，而全球第二大NOR型闪存制造商Spansion，则打算在2006年中导入90纳米制程生产ORNAND型闪存，对高容量NAND型闪存市场痛下杀手。

据网站Semiconductor Reporter报导，三星过去谨守效能优先原则，以SLC（single-level-cell）制程科技倡导其稳定性，然面临东芝（Toshiba）等采取MLC（multi-level-cell）制程技术拉高容量、压低成本攻势下，三星近来也改弦易辙，针对消费性电子市场提供高容量MLC NAND型闪存，惟在其它市场仍不放弃SLC制程。

除了保卫NAND型闪存故土，三星日前亦宣布与美商Datalight签约，就三星OneNAND型闪存产品，协助其发展IP（Intellectual Property），并提供三星软件整合方案，结合NAND型闪存核心与NOR 型闪存接口，扩大OneNAND在中型市场的占有率。

不过，NOR 闪存大厂Spansion也不可能故步自封、坐以待毙，其执行长Bertrand Cambou相信，以ORNAND内存兼具NOR与NAND型闪存长处的架构，不仅提供多媒体系统稳定的解决方案，更是在高容量手机市场中NAND型闪存的终结者。

市调机构Semico Research分析师Jim Handy指出，以ORNAND 2者兼具的特色，Spansion可望因此介入NAND型闪存这块目前仍属高毛利的利基市场。尤其是在高容量手机市场方面，手机制造商迟迟未采用NAND架构作为储存媒介，原因在于该架构造成手机被迫关机可能性较高。

除了架构优势以外，Spansion积极导入制程微细化与采用MirrorBit制程，进一步取得成本优势。Spansion副总裁Jim Doran表示，目前1GB已顺利推样，预定2006年导入量产阶段，预计Spansion所有产能的三分之二将迅速转换到MirrorBit two-bit-per-cell产品。此外，Spansion预定2006年中期将在德州奥斯汀Fab 25进一步导入90纳米制程，有鉴于此，该公司也在日前与台积电（2330）签订代工0.11微米制程合约，俾便Spansion顺利转进90纳米世代。

至于老牌NOR型闪存供货商英特尔（Intel），甫于2005年第一季开始出货90纳米制程SLC NOR型闪存，惟90纳米制程MLC 闪存迟迟未现，市场传言英特尔在MLC制程方面亦发生问题，导致推出时程递延，不过英特尔发言人仍表示，2005年下半开出90纳米制程MLC 闪存，既定时程不变。