Micron将注意力逐步转向标准型DRAM

Preez表示，这当中包含NAND型闪存（Flash）、CIS（CMOS Image Sensor）等，也因为美光将转移相当多产能，量产非标准型DRAM产品，因此，接下来全球DRAM产业将会因非标准型DRAM产能大增，而出现排挤效益，也就是说，未来全球DRAM产业前景及价格走势，将因供应量不断下降，致使DRAM颗粒报价波动程度不再像过去那样激烈。

Preez指出，过去美光因大多产能均用于量产标准型DRAM颗粒，因此，仅能将其产品销售至像是类似英特尔（Intel）那样量产Flash芯片组的半导体大厂，而这些半导体大厂再将其组装成MCP（Multi Chip Package）后，卖予手机或其余通讯大厂，使得美光过去均无法接触到像是手机厂这样与消费者端接触最深的厂商。

不过，接下来美光将不再将战场局限于标准型DRAM，而将进一步扩增到非标准型DRAM身上，如今美光预计将大幅提升在这部份产能，估计光是NAND型Flash加上CIS及IT SRAM产能，便将占美光年产能20％，对于全球排名第二的DRAM大厂而言，转移20％产能至非标准型DRAM，对于全球标准型DRAM产业影响甚大。

Preez便认为，未来全球DRAM产业走势将会趋于相对平稳，主因是多数国际DRAM大厂均已将产能转做其它利润空间较高的产品，真正可用于生产标准型DRAM颗粒较过去下滑许多，因此，未来DRAM价格波动程度将因非标准型DRAM产能挤压，而大幅降低。

此外，美光2004年耕耘重点将摆在进军亚太区市场，原因在于美光认为虽然亚太区部份晶圆代工厂均开始替几家大型DRAM厂代工DRAM，但这样关系应不会太过长久，加上2004年DRAM产业前景相当值得期待，因此，美光2004年将会全力锁定亚太市场。

至于NAND型Flash方面，美光相当有信心至2007年其产出量将可占全球产量约10～20％，且更重要的，在于美光自2004年下半起，便将开始采用90奈米制程技术量产NAND型Flash芯片，如此一来，也将使其制造成本相对降低许多，对其进军NAND型Flash市场将相当有利。