SK海力士72层闪存晶圆成功登顶 但容量水平稍平庸

SK 海力士公司员工展示72层NAND晶圆、256 Gb芯片以及1 TB SSD

韩国闪存制造厂商SK海力士公司已经打造出第一款72层3D NAND晶片，存储容量为256 Gb。

作为拥有行业内最高层数的闪存芯片生产方案，其存储容量却仅有可怜的256 Gb; 相比之下，东芝的64层闪存晶片拥有512 Gb容量。与SK海力士的芯片类似，东芝方案同样为TLC（即三层单元）设备，且于今年2月开始提供相关样品。

西部数据公司为东芝的闪存代工合作伙伴，其亦于今年2月开始对64层512 Gb晶片进行早期生产，其存储密度达到SK海力士晶片的两倍。

在另一方面，三星公司同样拥有自己的64层512 Gb闪存芯片。

SK海力士72层3D NAND产品，左侧为开发中的1 TB SSD产品

可以看到，目前市场上的竞争对手采用较SK海力士更小的存储单元尺寸，这意味着其3D NAND生产工艺更为复杂，因此产品制造也更加困难。叠层设计特征使得制造厂商必须确保工艺精准无误。不过，SK海力士公司目前在容量上仍然无法与512 Gb 3D NAND芯片相媲美，除非其能够将层数增加到144层或者将现有72层设计中的存储单元尺寸减半。

SK海力士目前在售的多层闪存晶片为48层，且自去年11月以来一直在进行批量生产。该公司的制造工艺确实表现出快速的发展态势，即在不到6个月时间内已经实现了由48层向72层的大踏步前进。该公司表示，其最新芯片拥有40亿个存储单元、具备更出色的电路设计、内部运行速度提高了2倍、读取/写性能亦较48层3D NAND芯片增长了20%。

该公司同时指出，其正在尝试将该芯片销售至SSD、智能手机以及其它移动设备市场当中。相关大规模生产工作将在今年下半年正式开始。