DRAM，速度很快：SK海力士迈向HBM3E领域

在美光第二代HBM3芯片亮相一个月后， SK海力士正在对一款HBM3E芯片进行采样。

HBM3E是第3代高带宽存储器扩展版，遵循2022年1月推出的HBM3标准。这种存储器是由放置在逻辑模具上方的DIMM芯片堆集构建的，并通过中介器连接到GPU或CPU上。或者，存储芯片可以直接堆叠在GPU上。无论哪种方式，DRAM到GPU/CPU的带宽都高于通过插槽连接到处理器的DRAM的传统X86架构。行业机构JEDEC规定了HBM标准，其HBM3标准于1月发布。现在，在人工智能和机器学习热潮的推动下，供应商们正急于让它过时。

过去一段时间存储市场需求低迷，存储器和NAND供应过剩，如今存储器市场开始出现一些复苏迹象。SK海力士DRAM产品规划主管Sungsoo Ryu表示：“通过增加高价值HBM产品的供应份额，SK海力士也将寻求快速的业务转型。”

HBM世代表。

该公司自称是世界上唯一的HBM3产品“大规模生产商”之一，并计划从明年上半年开始批量生产HBM3E。SK海力士谈到了其为人工智能市场生产的内存，目前由于对ChatGPT型大型语言模型（LLM）的需求而大幅扩大。SK认为LLM处理是内存有限的，并旨在纠正这一点。

SK海力士产品的细节很少，该公司只表示每秒可处理高达1.15 TB的数据，相当于每秒处理230多部5GB大小的全高清电影。美光上个月宣布了一款超过1.2TBps的HBM3第二代产品，这表明SK海力士还有工作要做。

美光的HBM3第2代产品采用8层堆叠，容量为24GB，即将推出36GB容量的12层堆叠版本。SK海力士于4月宣布推出12层堆栈HBM3产品，容量为24GB。

我们怀疑SK海力士的HBM3E产品可能是基于这款容量为24GB的12层堆叠产品开发的，并且可能实现36GB的容量。

SK海力士表示，HMB3E产品与HBM3向下兼容；只要把它放在现有的设计中，系统即可更快运行。