希捷悄然推出HAMR存储技术，4TB驱动器产品将于2016年亮相

希捷公司研发部门负责人Jan-Ulrich Thiele表示，希捷打造的采用热辅助磁记录（简称HAMR）技术的首款原型驱动器产品将于2016年年末正式推出，且其容量将为4 TB。

相比之下，希捷方面刚刚公布的8 TB驱动器采用现有垂直磁记录（简称PMR）技术。作为第一款HAMR驱动器，其存储容量只达到PMR方案的一半确实令人有些失望，而且HAMR本身的定位又属于PMR的换代成果，这一切都让人感到难以理解。

随着垂直设计的PMR在bit位（也就是记录介质当中磁性颗粒的集合）方面的逐步缩小，其可靠性也由于不同but位之间相邻距离的降低而受到影响，具体而言相互干扰会使其读取错误率出现增长。考虑到这一点，PMR已经不可能进一步缩小bit位的实际尺寸。

要解决这个问题，目前最理想的方式就是采用更具变阻能力的磁性记录介质，并保证相邻bit位能够在常温条件下承受彼此干扰。要在这种轨道排布更为紧密的驱动器中写入数据bit，相关介质必须随时加热至450摄氏度（合842华氏度）以降低其可变电阻，而后进行数据写入，最后再对目标区域进行降温。

基于这一设计思路，开发人员需要在读写磁头处安装激光发射器以实现加热。而这将使得磁头操作更加复杂、厚度进一步提升，这意味着不同碟片之间的间隔也需要随之增加——这当然属于意料之外的结果。所以无论是降低碟片数量还是增加驱动器厚度，都意味着需要对业界标准磁盘驱动器插口进行调整以适应这些体形更大的驱动器产品。

而更糟糕的是，如果原型测试方案能够在2017年达到令人满意的效果，那么我们最早也要到2018年才能买到实际可用的HAMR驱动器产品。即使这样，希捷公司也需要首先为超大规模数据中心以及云数据中心供货，但到那时高容量闪存驱动器已经全面亮相，这势必会给新产品的推广造成严重阻碍。

另外希捷公司肯定也已经注意到，三星方面于今年8月的闪存记忆体峰会上公布了其采用3D TLC V-NAND技术的16 TB SSD产品*。因此到2018年，企业数据中心以及桌面市场有可能根本不会继续关注HAMR驱动器是何许人也。

着眼于2018年，如果3D NAND芯片中的存储层进一步增加，那么我们肯定会看到容量在20 TB甚至25 TB的SSD产品。希捷方面需要投入惊人的工程力量来让目前的4 TB HAMR原型驱动器在3年之后拥有20 TB到25 TB容量——这几乎是一项不可能完成的任务。

另外需要强调的是：HAMR驱动器的全面发售时间可能需要等到2019年左右，那时我们可能面对的是第十代PMR产品，其容量很可能会由第九代方案的8 TB提升至10 TB到11 TB。

第二项值得关注的问题在于：显而易见，HGST的氦气填充技术已经成为驱动器发展历程中的一大重要里程碑，这能够使碟片所占用的空间得以缩减，换言之由HAMR造成的碟片间隙增大可以通过这种方式实现抵消。具体来讲，未来的HGST HAMR驱动器可能根本不需要对外形尺寸作出改变，自然也就不必调整现有磁盘接入设计了。

希捷公司正处于进退两难的困境当中。

第三点注意事项：考虑到由3D NAND TLC SSD产品所带来的竞争压力，磁盘驱动器业界显然需要利用氦气填充式HAMR驱动器来救场，而且可能需要将叠瓦式设计纳入其中。

没有氦气填充机制的支撑，那么传统磁盘驱动器将在未来与3D SSD的对抗当中一败涂地，而这也是未来最可能出现的实际情况。