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著名的以色列闪存厂商MSystems于5月11日宣布,开发成功在每个NAND闪存的存储单元(Cell)上保存4bit数据的技术——简称X4,将有助于大幅度提高NAND闪存的存储密度。
MSystems计划在2007年正式向市场引入X4技术,包括4bit/Cell的NAND闪存和相应的控制器。MSystems表示,相较于现在流行的多级单元(MLC,Multi-Level Cell)的2bit/Cell设计,X4将可以降低30%的晶圆制作成本,而存储容量则是MLC的两倍,是单级单元(SLC, Single-Level Cell)的四倍。而且,X4技术并不改变现有的NAND生产工艺,保护了生产厂商的投资。
在过去的3年时间里,NAND闪存的每GB价格下降了超过80%,NAND闪存已经成为半导体存储领域里不可或缺的一部分,被越来越多的电子产品所采用,甚至也威胁到了微型硬盘的领地。而X4技术的诞生将会进一步提高NAND闪存的容量,使其更具有竞争力,成为移动多媒体设备、民用固态盘、数码相机/摄像机、GPS、USB闪盘等核心存储设备。
MSystems表示,目前正与一些合作伙伴就X4技术的采用进行评估,预计会在2007年在大规模NAND量产方面导入X4技术,向业界提供X4 NAND闪存芯片。
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