固态盘——今日的奢侈　明日的亮点

基于NAND的设计理念——明日亮点

不过，i-RAM的设计思路并不能因它的脆弱性而被否认。我觉得，这是技嘉公司的一次很好的创新，但是，如果考虑得更为周全，我觉得很可能会更上一层楼，这仍然要从SSD的设计理念上说起。

SSD说白了，就是RAM的芯加上硬盘的壳。由于RAM的随机寻址速度比硬盘快上3个数量级，而传输速度恒定，还具有防震的特点，所以很受工业应用领域的关注。而这个RAM则可以有不同的区别，可以是DRAM，也可以是NVRAM（非易失性随机存储器）。i-RAM采用的是DRAM，而业界普遍的设计思路则都是以NVRAM为主，因为NVRAM本身就像硬盘中的磁盘，无需电力即可保存数据，大大提高了SSD的可靠性与可用性。

以硬盘尺寸制作的军用级闪存SSD

不久前，我们曾报道过三星公司推出了16GB的SSD，采用NAND闪存为核心。而从产品的设计上看，16GB的容量应该是通过8颗NAND芯片来提供，每颗芯片容量为16Gb，这正好是NAND闪存目前所发展到的最高阶段。而4Gb芯片已经渐成主流（很多512MB的存储卡都是使用单颗4Gb芯片），我们可以算一算，若要实现i-RAM常用的4GB容量，也就需要8颗芯片。

三星推出的1.8英寸与2.5英寸外形的SSD，面向便携式产品

有人可能会说，NAND的性能比DRAM差远了，怎么能和i-RAM比呢？没错，NAND闪存在寻址速度上的确要慢得多，但还是比硬盘快得多（DRAM以ns计算，NAND以μs计算，硬盘以ms计算）。在数据传输率方面，DDR SDRAM可以达到3.2GB/s的带宽，NAND呢？看看现有的存储卡就知道它们之间的速度差距了。

然而，我们不要忘了，若要做成SSD，模拟成现有的硬盘，必须要受到硬盘接口的限制。以i-RAM为例，其所用的DDR内存的性能再好，最终的接口速度也不可能超过SATA的150MB/s。说到这，笔者比较纳闷i-RAM为什么没有采用SATA-II接口（本身就已经很贵了，再贵一点也妨，但性能提升明显得多），即使是300MB/s，以DDR DRAM的能力而言，仍然是绰绰有余的。也许i-RAM的设计较早，相信今后肯定会有SATA-II的版本出现。

再来看看NAND闪存，其实闪存芯片自身的数据传输率并不是很慢。NAND闪存目前的工作频率本来就比较低（一般在20至33MHz之间），但借助于大容量的页面设计，其读取时传输率可达16-22MB/s（20-33MHz的工作频率），写入理的数据传输率则为6.9-7.82MB/s（20-33MHz的工作频率）。存储卡的速度之所以很难提升，是因为存储卡接口的设计造成的，与NAND闪存本身的关系并不大。

当我们设计成一个64bit位宽的控制器，同时管理8颗8bit位宽的NAND闪存时，读/写带宽分别最高可达176MB和62.6MB/s。如果是128位宽设计，带宽又将提高一倍（前提是仍然采用8bit位宽芯片，当然芯片数量也将增加）。而对于写入带宽较低的问题，可以通过集成大容量DRAM芯片做缓存以提高效率。

从这几个方面来看，用NAND闪存来制造SSD，由于硬盘接口本身的限制，在性能上的劣势并不明显，但在其他方面，则比DRAM型SSD有着明显的好处。它无需后备电源，可以简化系统设计，由于是NVRAM，所以更不怕意外的掉电与人为的插拨失误。另外，NAND的块坏管理技术，也有助于保证数据的可靠性。

再看看价格，目前2Gb的NAND闪存芯片早已经降到7美元以下，4Gb的价格也可想而知，查查512MB的CF卡报价，就可以大概知道4Gb NAND闪存的价格。就算以20美元计算，8颗芯片也只有160美元，即1400块钱左右，即使再配上外围的控制电路与芯片，相信不会超过2000元。这样的一个产品与插上4GB内存的i-RAM相比，你会怎么选择呢？

因此，我们可以设想另一种i-RAM，它分为不同的容量，提供已经封装好了的SSD，比如8GB的、4GB的。或者只提供一个标准大小硬盘外壳，内置好控制电路，但留出若干插槽。由技嘉提供特制的不同容量的NAND闪存模组，通过控制芯片可以做到动态扩容（插上新的闪存卡即增加容量）。

当然，这只是一种笔者的设想，虽然从理论上有实现的可能。但笔者所想表达的，则是SSD在民用领域的可能发展前景。就SSD本身的特点来说，笔者非常看好其应用的前景，在未来，随着NVRAM技术的进步，如MRAM（磁内存）的不断成熟，高性能小容量的SSD将会越来越受到民用领域的关注。

在这方面，i-RAM显然开个了好头，虽然它的设计在笔者的眼中还有这样或那样的不足之处，但i-RAM极为明显的性能优势已经揭开了SSD应用的面纱。这也许就是微软与三星准备开发带有NAND闪存的新型硬盘的目的——借助小容量NAND存储设备的应用来提高硬盘的性能。

展望明天，我们有理由相信，SSD将成为民用领域一大亮点，就让我们拭目以待吧！在此，我也衷心期待下一代的i-RAM有更好的设计。