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作者:Zxm 2004年5月18日
关键字: DDR2
英特尔公司正准备推出针对下一代系统的新型芯片组,期望此举可将推动DDR2 SDRAM存储技术的应用,然而,分析师表示,DRAM的价格和世代交替(crossover)的问题阻碍了下一代DDR2存储产品的发展。
英特尔计划在未来两季内,至少推出五种支持DDR2 SDRAM存储技术的芯片组。第二季推出支持DDR2 SDRAM内存的芯片组Grantsdale、Alderwood和Tumwater,它们分别用于桌上型计算机、工作站和服务器。第三季再推出两款DDR2芯片组Linenhurst和Alviso,它们分别用于服务器和行动系统的DDR2产品,其中Alviso号称第五代芯片组。
初期的英特尔芯片组将支持400和533MHz的DDR2 SDRAM技术。DRAM供货商还计划陆续开发667MHz DDR2技术,以及号称DDR3的新一代存储技术。
市场研究公司iSuppli表示,目前的DDR1和新的DDR2技术之间的世代交替点(crossover point)的问题依然存在。因而,尽管英特尔大力推行DDR2技术,这种下一代DRAM技术仍不太可能在2004年成为市场的主流。要实现DDR2的转型将比半导体产业从EDO(Extended Data Out)迁移至SDRAM,以及从SDRAM到DDR的难度高得多。
DRAM供货商三星电子的DRAM营销副总监Jim Elliott表达了不同观点:“我们认为DDR2将会以最快的速度完成转移。”Elliot分析指出,快速转移的一个原因在于DDR1和DDR2技术之间的价格平衡点。DDR2平衡价格(price parity)将在2005年形成,即新技术发布后12到18个月。
三星公司正推出以新的100nm制程生产的新型512MB DDR2 SDRAM产品,并同时提供1GB DDR2样品。三星的300mm晶圆厂也在采用新的100nm制程生产存储芯片。
英特尔平台存储业务开发经理Geof Findley表示,关于DDR2技术,英特尔已认可了三星、美光、英飞凌、Hynix和Elpida的产品。他还说:”我们正处于DDR2 400/533快速发展时期,产业大环境日趋健康成熟。”
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