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OCZ与DataSecure LLC宣布支持超低潜伏期内存技术

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作者：Zxm 2004年4月8日

关键字： OCZ

我们都知道内存芯片中的逻辑Bank，一次只能打开一行，无法在同一逻辑Bank中打开两个工作行（页面），但国际著名的内存模组厂商OCZ与另一家致力于开发高性能内存技术的公司DataSecure LLC在近日联合宣布，支持Posted Precharge与超低潜伏期内存技术。

Posted Precharge可以理解为提前预充电，目前DataSecure LLC正在为这个技术申请专利。它通过一个集成的SRAM寄器允许内存在工作时，访问相同逻辑Bank的不同行，而且当再次访问时，数据可以不经过真正的行寻址即可以立即获得，从而消除了CAS潜伏期。

这个技术的确让人耳目一新，它终于可以允许在同一个逻辑Bank中打开多个页面并且减少了总线冲突，事实上这种以往存在的潜在需求非常大，由于是读写频繁的服务器领域，同Bank不能多页面寻址将给大规模的随机寻址带来麻烦，从而降低了总体效能。不过，其主要的针对领域应该不是主流的台式机，预计将会在高端应用领域一展身手。

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