Hynix与STMicroelectronics在无锡合资17亿美元建造12英寸晶圆厂

来自电子时报的消息，根据彭博信息（Bloomberg）引述南韩经济新闻报导指出，全球第四大DRAM厂海力士（Hynix）计划与意法微电子（STMicroelectronics）共同投资2兆韩元（约17亿美元），在大陆无锡设12吋晶圆厂。其中，2厂挹注资金将各为5亿美元，其余资金则来自大陆官方或与当地企业合资，该厂预计于2004年下半开始动工。

　海力士财务长Chung Hyung Ryang日前证实，欧洲第一大半导体厂意法将与海力士延续伙伴关系，携手前进大陆市场，双方将合资在大陆兴建1座晶圆厂，生产内存芯片，惟目前双方协商仍属初步阶段，合资金额尚未定案。

　不过，南韩经济新闻引述不愿具名的海力士债权银行主管表示，海力士将与意法合作斥资2兆韩元，在大陆兴建12吋晶圆厂生产DRAM之用，初步将由海力士与意法分别出资5亿美元，其余金额则可望由大陆地方当局援助，或经由与大陆当地企业合资方式进行。

　事实上，意法与海力士携手合作已不是第一遭，早在2003年4月海力士便与意法签订5年合作备忘录，计划合作发展NAND型闪存（Flash），以目前全球NAND型Flash市场仍掌握在三星（Samsung）与东芝（Toshiba）手中，海力士希望藉由获得意法半导体授权替其制造NAND型Flash，企图在2005年前成为全球第三大NAND型Flash厂，与三星、东芝成3强鼎立。

　KB Investment Trust分析师Jeon Woo Dong认为，大陆半导体业投资前景看好，2厂的投资计划是明智之举。对于欠缺资金的海力士而言，与其它业者携手投资，是正确的抉择。他强调，大陆市场商机无限，在资本密集的半导体产业，厂商若能藉由策略联盟进入大陆市场，更可扩展经济效益，且目前正值大陆与美国针对半导体加值税议题，要求WTO进入仲裁阶段，更让厂商希望早点进入大陆市场立稳脚跟。

　LG Investment & Securities分析师Young Park指出，对意法而言，这项策略联盟将可协助该公司顺利进入大陆市场；意法副总裁Alain Dutheil日前也表示，该公司估计到2008年大陆半导体市场可望达1,000亿美元规模，居全球各区域市场首位。Park认为，虽然意法目前主要事业为NOR型Flash，但与海力士策略合作，可协助其扩展其它内存芯片市场。

　目前海力士在大陆DRAM市场比重约占4成，深耕规模自不在话下，而意法在即将卸任的执行长Pasquale Pistorio领导下，过去10年中只有2季亏损，海力士缺的是技术与资金，而意法则需要进入亚太市场的管道，加上海力士面临欧盟与美国高达30～40％惩罚性关税，若在大陆设厂后，便不需向欧、美缴交高额关税。

　此外，促成2厂合作另一催化剂，则是积极引进外资进入大陆的地方当局，大陆无锡官员指出，海力士与当地政府已谈妥设厂之事，预定在2004年6月底前定案；海力士为求长期竞争力，加上大陆积极招商，双方应是一拍即合。