速度与优化并进 DDR之巅峰对决(上)——如何有效的优化内存性能

双通道时代的优化思路

好了，上面已经讲完基本的相关参数与原理，下面就结合实际来看看具体如何设置。

目前，以 Intel 和 NVIDIA 为首的 Intel 与 AMD 平台都进入了双通道时代，这也是今后的主要潮流。所以我们这次也是以双方的双通道平台为试验平台，分别是 875P 和 nForce 2。鉴于 AMD 64 离我们还比较远，因此我们没有在 AMD 64 的双通道平台上进行测试。

首先要讲明，Intel 865/875 的双通道与 nForce 2 的双通道不是一码事。两者目前还没有可比性。简而言之 ，865/875 只用一个 128bit 位宽的内存控制器控制两个通道，这就意味着发给两个通道的寻址指令是一模一样的，从而也要求组成双通道的内存模组的容量、位宽设计完全一样，因为不同位宽的芯片，寻址指令也不一样，而一个内存控制器是无法发出两套指令的 。nForce2 则是两个独立的控制器分别控制两个不同的通道，这样每个通道的内存模组的架构就可以不同，因为指令也是独立的。但是 nForce 2 在双通道带宽合成方面会有比较大的麻烦，毕竟内存地址的转换是相当复杂的。所以，nForce 2 与 865/875 代表了两种设计。而这样的设计体现出来的内存配置也有了变化。在下文中，我们以 875P 平台为主 nForce 2 平台为辅，来进行优化试验。

先让我们看看 875P 内存页面控制方面的一些特点：

Intel 875P 的页面控制特性，可以发现双通道与单通道时有所不同

目前的 875P 主板都是 4 条 DIMM 的设计，可以最大安装 4 条双 P-Bank 的内存模组，也就是说一共是 8 个 P-Bank，合 32 个页面。但从上图中可以发现，当为双通道时，最多可打开的页面数减半，变成 16 个，但页面容量则翻了一倍。这就是意味着，组成双通道在两条内存模组在控制器的眼中就是一条 128bit 位宽的模组，由于寻址指令相同，所以两个通道内的相同 P-Bank 里内存芯片在同一时间的工作行相同，这样便使可打开的页面数减少，但页容量增加。相反，如果是单通道，则与 845 主板一样，简单的累加各内存模组的页面就可以了，页面数量可以达到最多，但容量不会成倍增加。

不要小看这点区别，页面的多少与容量关系到内存控制器能力的发挥。比如交错控制，如果有 32 个页面可供选择，绝对比 4 个页面时轻松一些，寻址冲突可以进一步减少，反过来，页面容量的提高，可以允许更长时间的背靠背式的寻址，这也对提高内存效率提供了帮助。关键就在于控制器怎么协调好页面数量与页面容量之间的关系。

从中可以发现，页面容量固定不变，页面数则成倍增加。在下面的优化实验中，我们主要考验页面数以及 tRAS 这个参数的不同设定在不同内存配置下对性能的影响。此外，我们还会讨论 BL、刷新周期等 BIOS 可能出现的调整参数对性能的影响。这里需要指出，本专题中（包括后面的内存测试），数字 A-B-C-D 分别对应的参数是： CL-tRCD-tRP-tRAS。