英特尔144层QLC 3D NAND技术固态盘670p发布,更强性能,更持久耐用!

【原创】   2021-03-04 12:11:12

关键字: QLC 固态盘

近日,英特尔正式推出基于144层QLC(四层单元)技术的客户端固态盘——英特尔固态盘670p。英特尔固态盘670p基于英特尔144层QLC 3D NAND技术,能够提供最高2TB的容量。

近日,英特尔正式推出基于144层QLC(四层单元)技术的客户端固态盘——英特尔固态盘670p。英特尔固态盘670p基于英特尔144层QLC 3D NAND技术,能够提供最高2TB的容量。与上一代固态盘相比,与上一代英特尔QLC 3D NAND固态盘相比,670p提供更高的性能,包括2倍顺序读取和20%的耐久性提升。

 

英特尔固态盘670p是轻薄型笔记本电脑理想的存储解决方案。能够为日常计算和主流游戏提供显著的价值。与上一代英特尔®QLC 3D NAND固态盘相比,670p提供更高的性能,包括2倍顺序读取和20%的耐久性提升。为满足当今最常见的计算需求,英特尔这款最新的客户端硬盘同时针对低队列深度和混合工作负载进行了调优,实现了性能、成本和功耗的恰当平衡。

英特尔144层QLC 3D NAND技术固态盘670p发布,更强性能,更持久耐用!

过去十年来,英特尔一直专注于开发QLC技术,以满足当今PC存储对性能和容量的双重需求,包括顶级的存储以及高效管理海量数据的能力。英特尔的QLC固态盘基于浮栅技术所打造,数据保持力是这一技术的一大关键性竞争优势。英特尔固态盘670p的全新单元配置还以合理的价格为日常计算需求优化了大容量存储,且有助于加快固态盘的普及。

 

英特尔 NAND产品与解决方案事业部客户端战略规划与市场营销总监Avi Shetty分享了英特尔固态盘670p的三个主要创新。

 

首先,创新的技术工艺,最新的144层英特尔QLC 3D NAND技术以及经过改进的控制器固件和缓存算法来进行工程设计,这是获得实际体验和优化性能的关键。与上一代技术相比,44层英特尔QLC 3D NAND技术提供的存储密度提高了50%。同时新技术基于浮动栅极架构,具有良好的PE阈值电压窗口,单元之间有稳定的电荷隔离,并能很好地保留数据。

 

其次,性能、可用性大幅度提升。与上一代固态盘相比,英特尔固态盘670p的读取性能提高了2倍,随机读取性能提高了38%,时延降低多达50%。特别是耐用性得到了极大的提升。“从耐用性的角度来看,英特尔固态盘670p已经将耐用性提高到每512GB写入185 TB容量, 1 TB可提供370 TB的写入容量,这才是真正的进步。” Avi Shetty谈到。

 

第三,,英特尔固态盘670p实现 了在成本、性能和功耗之间实现恰当的平衡,来满足客户需求并引领市场。

 

通过提供峰值性能、最高2TB的容量和增强的可靠性,英特尔固态盘670p是轻薄型笔记本电脑理想的存储解决方案。满足在日常计算、办公、内容创作、主流游戏这些应用场景中,其耐久力规格远远超过了其他类型的客户端负载的细分市场。

 

 

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