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完成四级目标:西部数据公司已攻克四层单元技术难关

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在闪存研发领域,西部数据公司正在积极为其64层3D NAND配备4bits/cell(四层单元,简称QLC)与bit成本伸缩(BiCS3)技术。

作者:杨昀煦 来源:至顶网存储频道 【编译】 2017年7月26日

关键字:QLC闪存芯片 TLC 西部数据

完成四级目标:西部数据公司已攻克四层单元技术难关

单元存储量竞赛仍处于升温阶段。 

在闪存研发领域,西部数据公司正在积极为其64层3D NAND配备4bits/cell(四层单元,简称QLC)与bit成本伸缩(BiCS3)技术。

在西部数据公司的合作伙伴兼竞争对手东芝于今年6月公布了其QLC之后,西数方面亦作出了如上声明。

与TLC(三层单元)闪存芯片相比,QLC闪存芯片具备3倍以上的单元数量以及两倍的数据存储密度。

曾几何时,单元闪存芯片的每个存储单元仅能容纳1bit。然而,相较于今天的64层,三层单元芯片,其bit数已经实现了爆炸性增长,而且这种增长趋势还将进一步持续下去。

西部数据的这款QLC芯片具有768 Gb存储容量。SanDisk公司存储器技术执行副总裁Siva Sivaram博士阐述了关于西数的QLC实现过程。Siva Sivaram博士表示,“在今天的发布会上,最引人注目的地方应当是我们在X4架构中采用了创新性技术,从而让BiCS3 X4能够发挥与BiCS3 X3相当的性能表现。”

换言之,该款QLC闪存的性能几乎与其三层单元 TLC闪存相当。然而,目前普遍认为QLC闪存的使用寿命远不如TLC闪存,所以QLC闪存更适用于快速访问归档数据类应用与其他高读取、低写入使用环境。

不过,该款QLC闪存的高容量意味着其在QLC驱动器中可通过超额配置以延长产品本身的有效寿命。

西部数据公司将在下个月于圣克拉拉举行的闪存峰会上展出其QLC SSD与可移动硬盘。此外,西部数据公司执行副总裁兼CTO Martin Fink也将在活动中发言。

值得一提的是,西部数据计划在其开发中的96层3D NAND同样采用QLC机制。

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