DRAM或将遭受重大打击：IBM公司宣称在相变存储领域取得突破

体积更小、速度更快、密度更高——商用存储器的未来或就此开启。

IBM公司宣称其已经在相变存储器领域取得突破性成果，其甚至有可能全面取代DRAM。

IBM公司的研究人员指出，他们已经成功在高温环境下利用64000个存储单元实现每单元3 bit存储效果，而这也是“有史以来”第一次达成如此理想的存储能力。此前其相变存储器（简称PCM）技术只能实现每单元2 bit容量。

多层单元技术与PCM并非新鲜事物，但以往的解决方案往往受到背景信噪与阻值不稳定等问题的束缚。

不过IBM公司表示其已经取得突破性成果，目前的方案已经非常可靠，能够在“高温”条件下立足于由64000个单元构成的阵列实现每单元3 bit存储，且此PCM拥有高达百万次设置/重置寿命周期——也就是数据写入及重写能力。

IBM公司苏黎士研究中心非易失性存储器研究部门经理Haris Pozidis在一份声明中指明，这项工作成果“是一大重要里程碑”。

“在这样的存储密度水平下，PCM的使用成本将远低于DRAM且与闪存基本持平，”Pozidis表示。

PCM技术承诺带来远超现有存储级内存方案的多种优势。能够在包含64000个单元的设备中以每单元3 bit形式实现存储，科学家们表示PCM将成为一类速度更快、更加稳定且寿命更为持久的存储级内存。

这同时意味着内存容量亦将得到显著提升，且带来更可观的存储密度——换言之，PCM方案将在移动手机及物联网设备中大有可为。

该芯片由硫族化合物制成，其中包含硫、硒或碲等混合元素。当被施加足够大的电流时，这种材料将由非晶态结构相变至高度有序的晶体状态，同时实现导电性提升。

存储内容通过相变方式实现设备写入。这意味着每bit状态可在0与1两种阻值水平间往来切换，此种机制与其它二进制存储器编码基本一致。而在读取时，只需向存储器施以较低电压即可。

与DRAM不同，PCM并不会随时间推移而导致存储器衰减。一旦相变完成，信息会在断电后亦继续保持稳定。

这套设备预计将能够提供至少1000万次写入周期，远高于目前主流U盘所能实现的3000次写入周期。

IBM公司希望利用PCM作为独立方案，或者以混合应用方式用于提升闪存存储性能。

其极佳的速度表现意味着PCM可被用于存储移动手机的操作系统，从而在数秒内实现系统启动。其它使用方向还包括在PCM内存储整套数据库以处理时间敏感型在线应用，具体包括金融交易以及提升机器学习算法的处理速度等。