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内存芯片如按厂家所属地域来分主要有日,韩厂家,欧美及中国[含台湾省]厂家等等。看编号识内存芯片是了解内存的一个好方法,下面笔者就千辛万苦收集了一大批资料,带你去了解下它们: FT后如果有字母"L"就是低功耗,空白则为普通。

来源:不详 2008年3月24日

关键字: 内存芯片 16位 SDRAM 内存故障 现代电子 三星 日立 东芝

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  内存芯片如按厂家所属地域来分主要有日,韩厂家,欧美及中国[含台湾省]厂家等等。看编号识内存芯片是了解内存的一个好方法,下面笔者就千辛万苦收集了一大批资料,带你去了解下它们:

  主要的内存芯片厂商的名称既芯片代号如下:

  现代电子HYUNDAI:HY[注:代号]

  三星SAMSUNG:KM或M

  NBM:AAA

  西门子SIEMENS:HYB

  高士达LG-SEMICON:GM

  HITSUBISHI:M5M

  富士通FUJITSU:MB

  摩托罗拉MOTOROLA:MCM

  MATSUSHITA:MN

  OKI:MSM

  美凯龙MICRON:MT

  德州仪器TMS:TI

  东芝TOSHIBA:TD或TC

  日立HITACHI:HM

  STI:TM

  日电NEC:uPD

  IBM:BM

  NPNX:NN

  一.日本产系列:

  主要厂家有Hitachi[日立],Toshiba[东芝],NEC[日电],Mitsubishi[三菱]等等,日产晶圆的特点是品质不错,价格稍高。

  1.HITACHI[日立]。

  日立内存质量不错,许多PC100的皆可稳上133MHz。它的稳定性好,做工精细,日立内存芯片的编号有HITACHI HM521XXXXXCTTA60或B60,区别是A60的CL是2,B60的CL是3。市面上B60的多,但完全可超133MHz外频,

  HITACHI的SDRAM芯片上的标识为以下格式:

  HM 52 XX XX 5 X X TT-XX

  HM代表是日立的产品,52是SDRAM,如为51则为EDO DRAM。

  第1、2个X代表容量。

  第3、4个X表示数据位宽,40、80、16分别代表4位、8位、16位。

  第5个X表示是第几个版本的内核,现在至少已经排到"F"了。

  第6个X如果是字母"L"就是低功耗。空白则为普通。

  TT为TSOII封装。

  最后XX代表速度:

  75:7.5ns[133MHz]

  80:8ns[125MHz]

  A60:10ns[PC-100 CL2或3]

  B60:10ns[PC-100 CL3]

  例如:HM5264805F-B60,是64Mbit,8位输出,100MHZ时CL是3。

  2.NEC。

  NEC的SDRAM芯片上的标识通常为以下格式:

  μPD45 XX X X XG5-AXX X-XXX

  μPD4代表是NEC的产品。

  "5"代表是SDRAM。

  第1、2个X代表容量。

  第3或4个X表示数据位宽,4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位。当数据位宽为16位和32位时,使用两位,即占用第4个X。由于NEC的标识的长度固定,这会对下面的数字造成影响。

  第4或5个X代表Bank。"3"或"4"代表4个Bank,在16位和32位时代表2个Bank;"2"代表2个Bank。

  第5个X,如为"1"代表LVTTL。如为16位和32位的芯片,第5个X已被占用,则第5个X有双重含义,如"1"代表2个Bank和LVTTL,"3"代表4个Bank和LVTTL。

  G5为TSOPII封装。

  -A后的XX是代表速度:

  80:8ns[125MHz]

  10:10ns[PC100 CL 3]

  10B:10ns较10慢,Tac为7,不完全符合PC100规范。

  12:12ns

  70:[PC133]

  75:[PC133]

  速度后的X如果是字母"L"就是低功耗,空白则为普通。

  -XXX:第一人X通常为数字,如64Mbit芯片上常为准,16Mbit芯片上常为7,规律不详。其后的XX的"JF"、"JH"、"NF"等。估计与封装外型有关:"NF"对应: 44-pinTSOP-II;"JF"对应54-pin TSOPII;"JH"对应86-pin TSOP-II。

  例如:μPD4564841G5-A80-9JF,64Mbit,8位,4个Bank,在CL=3时可工作在125MHZ下,在100MHZ时CL可设为2。

  3.TOSHIBA东芝。

  TOSHIBA的芯片上的标识为以下格式:

  TC59S XX XX X FT X-XX

  TC代表是东芝的产品。

  59代表是SDRAM系列。其后的S为普通SDRAM,R为Rambus SDRAM,W为DDR SDRAM。

  第1、2个X代表容量。64为64Mbit,M7为128Mbit。

  第3、4个X表示数据位宽,04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。

  第5个X估计是用来表示内核的版本。目前常见的为"B"。

  FT为TSOPII封装。

  FT后如果有字母"L"就是低功耗,空白则为普通。

  最后的XX是代表速度:

  75:7.5ns[133MHz]

  80:8ns[125MHz]

  10:10ns[100MHz CL=3]

  例如:TC59S6408BFTL-80,64Mbit,8位,可正常工作在125MHz,且为低功耗型号。

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