Spansion在京发布MirrorBit Quad技术

MirrorBit Quad技术的工作原理

MirrorBit技术在一个单元中保存2bit的电荷信息，可以分成00、01、10、11共4种状态，MirrorBit Quad则将这两个电荷区的电压分成了4级，即每个bit驱有4种状态，两个bit的存储位，就可以代表16种不同的存储单元状态（可以认为每单元的逻辑存储容量相对于传统MirrorBit提高了4倍），从而成倍提高存储容量。不过与MLC NAND相较于SLC NAND的性能有所降低一样，MirrorBit Quad由于电压等级增加，需要一定的判断时间，使得读写时的性能不如传统的MirrorBit，不过与容量／成本方面的改进幅度相比，还是值得的

目前能真正发布4bit/Cell产品的只有Spansion一家，虽然东芝也正在开发同类技术，但还没有正式发表

与Spansion每单元两比特的MirrorBit技术相似，MirrorBit Quad技术将电荷存储在一个不导电氮化物存储介质的两个不同位置上，以提供优于浮动门技术的基本的成本、质量和制造优势。与每个存储位置只存储一个比特的每单元两比特MirrorBit技术不同，MirrorBit Quad在每个存储位置存储两个比特。另外，MirrorBit Quad还为未来支持每单元存储更多比特作了准备。由于提高了每单元存储量，在采用相同制程技术的前提下，MirrorBit Quad技术所提供的每比特有效单元尺寸最多要比浮动门MLCNAND闪存小30%。