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100GB Super-RENS近场光盘 TDK达到40dB C/N

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100GB Super-RENS近场光盘 TDK达到40dB C/N

作者:日经BP 2004年10月20日

关键字: TDK 近场 Super-RENS

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TDK在日前举行的ISOM’04会议上报告称,在作为近场光技术之一的“Super-RENS(super-resolution near-field structure,超高密度近场光结构)”中,记录/播放37.5mm标志时得到了38dB~39dB的C/N(载波噪音比)。此次会议上,韩国三星电子也就实现约35dB C/N的技术做了报告,在直径12cm光盘、单面单层相当于100GB的面记录密度下,正在逐渐接近实现40dB以上的C/N目标。TDK与三星一样也使用了波长与蓝光光盘同为405nm的蓝紫色半导体激光与开口数(NA)为0.85的物镜组成的光学系统。

为了得到约40dB的C/N,TDK表示:“并没有采取特别的措施。”(演讲者)光盘的层结构基本上与过去一样,在膜厚的调整等方面反复进行各种试验,比如。沿激光的照射方向看,层结构如下:覆盖层、ZnS-SiO2介电薄膜、PtOx记录膜、ZnS-SiO2介电薄膜、Sb-Te超高密度膜、ZnS-SiO2介电薄膜、Ag-Pd-Cu反射膜、光盘底板。

该公司利用3种刻录标志和间隔长度,以单轨道连续刻录了单一图案,对播放信号的C/N和使用限制均衡器时在时间方向上的抖动值进行了测定。75nm刻录标志/间隔时分别为50.1dB和7.0%,50nm条件下分别为45.1dB和13.8%,37.5nm条件下分别为38.2dB和21.8%。另外还刻录了长50nm的刻录标志与间隔,跟200nm间隔组成的图案,结果确认了播放信号波形。另外还证实,在刻录标志长为50nm、75nm的情况下,即使反复进行1万次播放,C/N也几乎不会下降。

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