25nm闪存 Intel下一代固态硬盘规格揭秘

作为业内举足轻重的巨头，Intel即使在面对固态硬盘这样的新市场领域时也不失稳重。面对新产品、新技术频出的各路厂商，Intel依然在按部就班的实施着自己的既定计划。

按计划，第三代Intel X25-M系列消费级固态硬盘将于今年年底明年年初问世，基于Intel、美光合资企业IMFT出产的25nm工艺NAND闪存。由于制程的提升，新一代固态硬盘将在和前代产品类似的价格水平下，实现翻倍的存储容量，全系列容量从40GB（X25-V）到600GB不等。

X25-M G3的主要规格如下：

从性能指标来看，X25-M G3应当和目前市场上的顶级产品美光Crucial RealSSD C300或SandForce SF-1200方案处在同一水平线上。当然，从可靠性和长期使用性能的角度考虑，更信赖Intel方案的用户应当不再少数。尤其是随机写入寿命在第三代产品中有了4倍的提升，再加上掉电保护缓存的加入，AES全盘硬件加密技术的支持，这些新特性都相当值得期待。

值得注意的是，目前消息称X25-M G3仍然仅支持SATA 3Gbps标准。不过其内部SATA规范已经升级到支持ATA8-ACS，可能在Intel芯片组提供SATA 6Gbps原生支持后，Intel就会开放自家固态硬盘的SATA 6Gbps官方支持。

新一代Intel消费级固态硬盘依然提供2.5寸和1.8寸版本，1.8寸版X18-M最大容量为300GB，2.5寸版X25-M则为600GB。

而除了民用X25-M外，Intel还会在明年一季度推出代号Lyndonville的新一代X25-E企业级固态硬盘，首次放弃SLC闪存，改用eMLC即企业级MLC闪存。标准MLC颗粒在写入、擦除寿命完结后还可支撑12个月，而eMLC颗粒仅有3个月，但换来确实的是写入擦除寿命的大大提升。

从规格上可以看到，新一代X25-E在容量大幅增加、性能增强的情况下，依然保持了类似于SLC产品的写入寿命。诸如掉电保护缓存、硬件加密等特性也都没有缺席，只是价格恐怕仍然仅能被高端企业用户承受。