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美国Nanochip宣布,为采用MEMS技术开发每个芯片容量超过10GB的大容量硅存储器,从英特尔投资 (Intel Capital)和美国JK&B Capital共筹集了1400万美元(英文发布资料,PDF文件)。凭借这些资金,Nanochip将在2008年底之前实现能够评测的MEMS存储器样品,2009年有望在限定范围内供应样品。
该公司正在开发的MEMS存储器采用的是使用纳米尺寸探针阵列(Probe Array)在存储器材料上记录数据的结构。由于未采用闪存中容量存在极限的光刻法,可以利用现行的制造装置精度实现10GB以上的存储器。最初推出的产品将超过100GB,此后将以低于闪存的成本实现容量为1TB的芯片。首款产品将在2010年之前上市。目前已有7项有关技术获得美国专利,34项技术正在申请之中。
Nanochip正在开发的MEMS存储器的构造
纳米尺寸探针的显微镜照片
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