闪存设计：从平面向立体的飞跃

英特尔与美光

就在大约一个月之前，通过合资建立英特尔美光闪存技术公司与美光方面达成合作关系的英特尔也公布了自己的3D NAND发展思路。其主要特性如下：

• 包含32个平面层
• 不同层之间存在40亿个互连通孔
• 利用MLC（即每单元2bit）NAND实现单芯片最高32GB存储容量
• 利用TLC（即每单元3bit）NAND实现单芯片最高48GB存储容量。

我们可以将此看作英特尔与美光共同发出的联合声明。英特尔公司的一位发言人指出，利用这项技术将有可能打造出容量高达1TB、但厚度仅为2毫米的移动设备闪存产品，这意味着平板设备与智能手机的存储容量将因此实现大幅提升。

尼古拉斯公司据此汇总出了以下这份以制造商角度出发的3D NAND发展时间表：

尼古拉斯公司制作的3D NAND发展时间表

到2017年，我们应该会在服务器领域迎来内存内计算体系的迅速普及，主体数据仍将继续由磁盘驱动器阵列负责存储，而日益增长的主动归档存储需求则交给采用3D TLC闪存技术的大容量闪存WORM（即一次写入、读取为主）类存储方案承载。在这类场景下，我们可以对归档数据进行频繁读取，而不再需要像过去那样等待磁带介质接入或者低速磁盘的缓慢启动。

而就在即将过去的2014年年末，我们发现3D NAND在步入主流技术市场并显著改变IT应用程序构建思路方面已经经历了长达三年的滞后。

闪存存储的平面时代即将宣告结束，而我们将在立体空间中迎来闪存数据存储的爆炸式增长。来吧，美好的3D生活圈！