希捷公司筹备Nytro产品线，希望推动闪存性能进一步提升

希捷公司已经利用3D NAND芯片对自家两条原单层SSD产品线进行芯片组，其一能够借此实现四倍容量提升，并已经在本届闪存存储器峰会上展示了一款64 TB闪存驱动器。

Nytro 5000为希捷XM1440 SSD的下一代版本——XM1440总计分为三款型号，分别对应高使用寿命与高容量水平，采用ML（即双层单元）闪存且存储空间由400 GB到1.92 TB不等。其接口采用M.2 NVMe PCIe第三代x4 NVme 1.2标准。

而M.2形式且采用同等接口的Nytro 5000则利用3D NAND（cMLC——同样为双层单元）实现最高2 TB存储容量。尽管3D NAND的采用为希捷公司带来了可观的容量提升空间，但其仍然选择将Nytro 5000的容量水平保持与XM1440几乎相同的级别。

Nytro 5000

希捷公司指出，这款驱动器亦具有超配置能力。

Nytro 5000的最高随机写入IOPS为67000——相比之下，XM1440的最大随机写入IOPS为33000。使用寿命为持久性优化版每天1.5次全盘写入（简称DWPD）条件下五年周期，容量优化版每天0.3次全盘写入。

平均故障间隔时间为200万小时，其中亦提供自加密模式。

Nytro 3000

Nytro 3000属于1200.2 SAS SSD技术方案的下代版本。1200.2 SAS SSD原本采用美光eMLC闪存并配备有12 Gbit每秒双端口。Nytro 3000继续使用该接口，只是替代性配备有3D NAND——主流高使用寿命型号采用eMLC（双层单元），扩展及可调使用寿命型号则采用eTLC（三层单元）。

Nytro 3000

各型号的五年周期每日写入使用寿命也拥有明确划分：

主流使用寿命 – 10 DWPD
轻度使用寿命 – 3 DWPD
扩展使用寿命 – 1 DWPD
可调使用寿命 – 0.5 DWPD (0.25 DWPD 15.36 TB)

通过以上表格，我们看到扩展与可调使用寿命Nytro 3000产品的随机读取/写入IOPS性能由低容量向高容量型号逐步提升，但从15.36 TB级别开始有所下滑。

在连续读取方面，1200.2系列中的3.84 TB容量型号可实现性能峰值，为每秒1.8 GB; 因此3000系列在容量方面达到1200.2的近四倍，而连续传输带宽亦小幅提升。

2.5英寸系列产品则分为2.5英寸x 7毫米低容量版本与2.5英寸x 15毫米高容量版本。

64 TB AIC

希捷公司还展示了一款64 TB附加卡（简称AIC）产品，这款PCIe卡中包含8套控制器、1个NVMe接口并可提供高达每秒13 GB的连续传输带宽。相关样品将于2018年上半年正式推出。

在去年的闪存存储器峰会上，希捷公司展示了一款60 TB SSD，相比之下今年公布的成果在容量上无甚提升——但数据吞吐量却大幅增加。另外，去年展示的驱动器采用双12 Gbit每秒 SAS接口，数量吞吐量最高可达每秒1.5 GB——远远无法与今年AIC的每秒13 GB相提并论。

64 TB AIC

那么这款附加卡是否利用八块Nytro 5000构建而成？

希捷公司就此作出回应称：“64 TB AIC由8个M.2模块构建而成。其并不属于具体的Nytro 5000驱动器，但在本质上也差不多。Nytro 5000 M.2单卡存储容量最高可达2 TB，而64 TB AIC采用8 TB M.2模块。其中的8 TB模块采用由美光公司提供的每晶片512 Gbit 3D TLC芯片。”

研究企业Objective Analysis公司总经理Jim Handy在交付至希捷的一份声明当中指出，“大容量SSD在超大规模计算环境下拥有旺盛需求，且这一市场的增长速度超过其它任何行业。”

希捷公司将在本届闪存存储器峰会的505号展位演示其64 TB NVMe AIC、Nytro 5000 NVMe M.2 SSD以及Nytro 3000 SAS SSD。除此之外，利用Nytro 3000 SAS SSD构建的RealStor 5005全闪存阵列也将在这里一同亮相。