尼古拉斯公司总经理Aaron Rakers在本届SC16大会上造访了希捷公司展台,并注意到希捷方面提出其HAMR(即热辅助磁记录)技术领先西部数据与东芝一年的说法。
据了解,希捷计划于2018年推出的HAMR驱动器预计将为一块16 TB存储容量的3.5英寸产品,其中包含8块存储碟片与16个磁头。其很可能将采用氦气填充式外壳设计。
希捷公司认为,其完全有能力凭借着HAMR驱动器将每GB使用成本降低至0.02美元以下,这一成本水平即使与QLC(即四层单元)闪存配合3D NAND制程相比仍然具备优势,后者的存储成本将高于每GB 0.09美元。
目前的SAS SSD产品每GB存储成本约为0.55美元,而3D TLC(即三层单元)闪存的存储成本则在每GB 0.20到0.30美元之间。
希捷公司认为,NVMe闪存驱动器一直要到PCIe gen 4.0时代才会全面起飞,其能够在速度上达到gen 3 PCIe的两倍,且预计将在2017-2018年推出。
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