终于等到美光展示3D XPoint驱动器！

美光公司已经在本届闪存记忆体峰会的首日进程内展示了基于3D XPoint内存技术的高性能固态驱动器。不同于东芝公司对传统NAND闪存的改进，这款产品更多满足了大型客户Facebook公司提出的内存产品多样性的需求。

美光公司的一位工程师显示的这款采用XPoint内存芯片的原型SSD配备有一个第三代PCIe接口，其写入延迟低于20微秒，而读取延迟更是低于10微秒，速度相当于现有NAND SSD的十倍。这款采用四PCIe通道的设备能够提供高达90万的每秒I/O操作能力。采用八PCIe通道的SSD更是能够实现190万峰值IOPS。

美光公司的Quantx SSD在响应速率方面可达到现有NAND SSD产品的十倍。

总体而言，美光公司承诺该驱动器将隶属于QUantx品牌，可提供四倍于DRAM的存储容量。相较于NAND，其则能够提供十分之一延迟以及32队列条件下高达十倍的IOPS。

美光公司还表示，XPoint SSD的存储密度从200 GB到1600 GB不等。然而，其并未给出相关产品的价格定位与具体上市时间。

这样的结果基本证实了英特尔与美光于去年公布的几项结论。一位美光公司高管强调称，双方并非计划利用XPoint取代NAND，而是将其作为DRAM与NAND在性能、容量与价格等层面的中间性实现方案。

Facebook公司正是对XPoint产品进行积极测试的重要潜在客户之一。在采访当中，Facebook公司通过主题演讲指出其软件已经准备好将XPoint等新型持久内存技术作为缓存机制以及数据库应用配合方案，剩下的就只待英特尔与美光实际发布产品了。

Facebook公司已经对多项内存替代性方案进行了调查，其中包括各类相变与忆阻器技术。"多年之后，终于有一类内存类型即将出现，但我们仍然处于探索其应用方式的初期阶段，"Facebook公司技术战略主管Vijay Rao在主题演讲中表示。

XPoint在速度上"明显高于NAND"，他指出，并强调称英特尔公司公布的结果意味着XPoint SSD能够帮助Facebook显著提升自身数据库结构性能水平。

美光公司展示的四通道Quantx SSD能够实现90万IOPS。

在另一演讲当中，东芝公司披露称其有计划将常规NAND的密度与性能推向更高级别。该公司希望在2017年年内利用由硅通孔连接的16晶片结构构建起512 Gbit NAND芯片，并借此建立TB级别存储方案。另外，其希望2019年使用32块晶片在单一封装内实现2 TB容量。

新款芯片将在2018到2020年之间推出，对应驱动器容量则为64到100 TB。此类SSD在每GB存储成本约为5到7美分，意味着其将能够在大型数据中心当中全面取代现有主流磁盘阵列。

东芝公司的发展路线图指出，其将在2020年之前利用32层TSV NAND芯片在单一封装内提供2 TB存储容量。

另外，东芝方面现在正在全力打造QLC芯片，即四层单元闪存版本。其高密度设计将实现100 TB SSD甚至将容量提升至更高水平，初步计划采用第三代PCIe接口。

一块这样的闪存驱动器将能够取代12块磁盘驱动器，且功耗水平更低而性能更为强劲。东芝公司计划在2019年年内发布采用第四代PCIe接口的设计方案。

"我们已经开始与超大规模数据中心展开协作，其目前开始进行早期调查并评估QLC在其用命中的实际表现，"东芝公司SSD部门技术主管Shigeo Ohshima表示。

事实上，三年之前Facebook方面就已经在呼吁存储厂商提供一类高容量、低成本的一次性写入存储方案，用于承载其所谓恒定数据--例如长期存储在Facebook上的图片数据。Rao指出，100 TB QLC SSD将能够满足这一需求，且目前其成本水平在闪存与磁盘驱动器之间。

"我们很快就会敦促各厂商推出此类产品--现在我们希望打造出五层单元方案，"Rao表示。

另外，东芝公司还公布了自己的存储系统。其Flashmatrix将CPU、FPGA加速器以及一套闪存阵列共同容纳于2U设备之内。14套这样的系统能够接入一台336 TB存储阵列。

Flashmatrix的目标指向那些规模逊于谷歌或者Facebook，但规模仍然极大且需要自行设计存储阵列的数据中心。 

东芝公司指出，QLC驱动器可用于替代现有主流磁盘驱动器阵列。