驰骋在内存总线战场上：美光带来8 GB闪存DIMM

旨在同Diablo Technologies以及SanDisk等厂商的产品相对抗。

美光出品的UDIMM卡。

美光公司正在着手推出一款8 GB闪存DIMM产品，旨在同SanDisk及其UlltraDIMM进行正面对抗。

所谓闪存DIMM，是指将一块闪存芯片卡安装在DIMM插槽当中，从而让NAND经由内存总线实现存储资源交付——这种机制能够提供超越PCIe总线的传输速度。该设计思路旨在提供一套位于主内存以及PCIe闪存或者SAS闪存驱动器之间的中间存储或者缓存层，最终以相对较低的成本实现更为理想的I/O水平。

美光方面公布的这款DDR4 NVDIMM产品包含一套NVDIMM控制器、NAND芯片、DRAM以及电源，各组件将共同构建起一套持久性内存子系列，并能够提供与DRAM相近的性能表现。

美光公司的产品采用DDR4 DIMM，这一点与Diablo Technologies的Memory1产品相同。而另一项早期Diablo技术则被SanDisk用于构建其UlltraDIMM产品，且目前已经以OEM方式供华为、联想以及Supermicro等企业使用，不过目前相关各方还没有向市场投放真正具有影响力的产品。从目前的情况看，上代DDR3闪存DIMM很可能会被速度更出色的DDR4方案全面取代。

闪存DIMM能够有效提升存储/内存空间，并削减其与服务器CPU间的距离，从而允许用户在内存之内运行规模更为庞大的数据集，并借此避免PCIe总线以及SSD与磁盘所广泛使用的SAS/SATA接口在数据访问速度上的缺陷对应用程序运行造成影响。

美光公司已经提供了一套数据访问速度对比视图。如果将DRAM的访问时长设定为1秒，那么PCIe的等量访问时长将为22分钟，而万转SAS磁盘驱动器则需要7.6天。

美光公司给出的闪存DIMM推荐用例包括大数据分析、存储设备、RAID缓存、内存内数据库以及在线事务处理等。

未来美光公司将推出三款DDR4 NVDIMM产品，分别为：

·     8 GB DDR4 NVDIMM w/传统固件：

o     RDIMM架构

o     DDR4-2133

o     单级x4配置

o     已投入批量生产

o     备用电源：接入DRAM插槽的PowerGEM或者12伏持续供电电源

·     8 GB DDR4 NVDIMM w/JEDEC固件：

o     RDIMM架构

o     DDR4-2133

o     单级x4配置

o     目前提供工程样品；将于2016年年初批量生产

o     备用电源：接入DRAM插槽的PowerGEM或者12伏持续供电电源

·     面向8 GB NVDIMM之PowerGEM（超级电容）：

o     备份时长：约40秒（当失去供电后，NVDIMM控制器将DRAM内容复制到NAND中的所需时长）

o     备用电源：备用超级电容

o     支持接入2.5英寸驱动器

美光公司指出，其闪存DIMM将成为一座衔接桥梁，充当将于2016年正式面世的高速3D XPoint DIMM——其定位为存储类内存。

这两类存储方案的主要客户将面向服务器OEM厂商，我们预计可能包括思科、戴尔、富士通、惠普、日立、华为、联想以及Supermicro，外加以广达为代表的各白盒服务器制造商。

感兴趣的朋友可以点击此处查看美光公司官方网站上的DDR4 NVDIMM介绍，相关内容应该会在今天或者明天正式上线。