美光新型XTRMFlash存储器取代串/并列NOR

是时候该跟平凡无奇的NOR快闪记忆体说再见了？美光科技(Micron)最近发表最新XTRMFlash系列产品，号称速度可达到3.2Gb/s，而且与目前市面上的串列式NOR快闪记忆体接脚相容。

美光嵌入式业务部门NOR快闪记忆体产品总监RichardDeCaro表示：“并列式快闪记忆体的时代已经结束了，美光新推出的XTRMFlash将可在接下来取代目前市面上的并列式与串列式记忆体──也许除了一些低密度应用。”美光将为新产品推出容量从128Mb~2Gb的产品，目前第一波512Mb的产品已可提供样品。

美光已经取得了包括飞思卡尔半导体(Freescale)在内数家大型晶片供应商的背书；XTRMFlash新产品的问世也正与研究机构Databeans最新预测相符──该机构预期，车用半导体营收规模将由今年的285亿美元扩展至2020年的400亿美元，其中有大部分应用是取决于NOR快闪记忆体，包括GPS、卫星无线电、车辆对车辆通讯以及车用资通讯娱乐系统。

根据DeCaro的说法，XTRMFlash的性能超越并列式、串列式以及Quad-SPI等类NOR快闪记忆体，其接脚数比目前的并列式NOR快闪记忆体减少75%；此外该技术的随机存取时间最快83奈秒(nanoseconds)、循序位元组读取(sequentialbyteread)最快2.5奈秒，传输速度400MB/s(高于并列与串列快闪记忆体)。

XTRMFlash也能与目前串列式快闪记忆体采用的QuadSPI接脚相容，只需小幅改变电路板设计就能达到上述的性能规格。美光表示最近已经在一些热门的汽车、工业与消费性领域“永不关机”应用，测试其XTRMFlash记忆体，能为人机介面、图形式使用者介面(GUI)、仪器仪表、车用资通讯系统与先进驾驶人辅助系统(ADAS)带来及时性的成功。