微软硅石项目采用飞秒激光在石英玻璃上进行多层数据编码,有望实现千年级数据保存。该技术利用先进光学显微镜和机器学习算法进行数据读取,存储密度显著超越传统光学媒体。虽然面临激光设备成本高昂和写入速度较慢等挑战,但其环保被动存储、超长寿命和高密度特性,为解决全球档案存储需求提供了最有前景的解决方案。
Osmium数据集团发布最新存储市场研究报告,探讨对象存储、超融合基础架构、AI数据库、存储管理界面和高端存储阵列等关键技术的发展前景。报告指出,独立对象存储供应商仍有市场空间,超融合架构面临成本挑战,AI驱动的自然语言界面将逐步引入存储管理,但完全自主操作存在安全风险。
Optera是一家光学存储归档技术初创公司,通过光致发光的存在或缺失来存储二进制数据。该技术采用光谱烧孔和低成本激光器,无需昂贵的飞秒激光器。其核心是混合卤化物荧光溴化物/氟氯化物磷光体记录介质,即二价钐。通过改变晶格缺陷的光致发光特性来编码数据,计划明年推出500GB容量的概念验证产品。
联想推出新一代NVMe存储解决方案DE6600系列,包含全闪存DE6600F和混合存储DE6600H两款型号。该系列产品延迟低于100微秒,支持多种连接协议,2U机架可容纳24块NVMe驱动器。容量可从367TB扩展至1.798PiB全闪存或7.741PiB混合配置,适用于AI、高性能计算、实时分析等场景,并配备双活控制器和XClarity统一管理平台。
固态硬盘容量持续攀升,32TB已成常态,256TB型号预计明年初上市,但测试时间也随之激增。闪迪发布开源技术SanDisk Pseudo-Random,将预处理时间缩短90%,把多阶段流程简化为单次精心设计的写入过程。传统方法在大容量硬盘上需耗时数天甚至数周,而该技术将32TB级硬盘的预处理时间从160小时降至6小时。闪迪已将此技术整合到广泛使用的FIO测试工具中开源发布。
各行业企业存储的数据量持续攀升,5PB以上已成常态,10PB以上也日益普遍。2026年非结构化数据管理的主题是全面增长:更多数据、更多投资、更多痛点以及更多AI安全风险。AI应用加速普及、数字化信息激增以及富媒体和传感器数据大幅增加推动了数据增长。随着AI推理应用的发展,企业将意识到非结构化数据管理对AI投资回报率的关键作用。
新兴企业Ewigbyte采用直接在未涂层玻璃上写入数据的光学存储技术,数据物理嵌入基板可保存数百至数千年。与Cerabyte不同,该公司不出售硬件设备,而是提供托管服务模式。其首代玻璃介质容量约10GB,读写速度目标为每头500MB/s,支持8个并行头。公司计划明年年中展示首个运营机架,2026年9月实现TB级写入演示。该技术无需能耗和冷却,适合冷数据长期存储。
Quobyte发布GPU融合存储解决方案,通过整合GPU服务器现有驱动器创建共享存储池,将数据更靠近GPU处理单元。该技术利用GPU服务器中闲置的CPU、内存和NVMe存储资源,消除外部存储阵列需求,降低延迟并提升数据传输速度。系统具备容错能力,可应对GPU节点频繁重启和故障。相比传统架构,该方案可显著降低基础设施成本和功耗,每增加一个GPU节点即可自动扩展存储容量和吞吐量。
五家光学存储初创公司正在开发长期存储技术,旨在用超过100年寿命的光学介质替代只有5-7年寿命的磁带。这些公司包括Cerabyte、Ewigbyte、HoloMem、Optera和SPhotonix,它们的技术类似微软Project Silica项目。光学存储介质具有更强的化学、冲击、辐射、水和热抗性,同时保持低能耗和高容量特性。
IDC发布2025年第三季度全球企业级存储系统市场追踪报告,显示存储市场同比增长2.1%至近80亿美元。戴尔以22.7%市场份额居首,华为以12%份额位列第二且增长9.5%。全闪存阵列表现突出增长17.6%,中端存储系统增长8.1%。地域方面,日本、加拿大和欧洲表现最佳,而美国市场下降9.9%。IDC预计随着AI应用渗透,企业对闪存存储需求将持续增长。
联想发布ThinkSystem SAN阵列产品线和三款ThinkAgile超融合基础设施系统,支持VMware、Nutanix、Azure Local和AI工作负载。新产品包括DS系列全闪存SAN存储阵列、FX系列超融合系统以及专为AI工作负载设计的HX系列。这些产品旨在帮助企业应对虚拟化策略变化,实现传统基础设施现代化改造。
韩国无晶圆厂SSD控制器制造商FADU正在缩减CXL交换机投资,并对高带宽闪存市场表示质疑。该公司第三季度收入从101亿韩元增至256亿韩元,增长2.5倍,主要受AI数据中心SSD需求推动。FADU将开发PCIe 6代SSD控制器和DRAM电源管理模块。由于英伟达NVlink技术日渐强势,公司减少了CXL开发投资。对于高带宽闪存技术,FADU认为存在三大障碍:GPU工作温度超出NAND承受范围、NAND写入寿命有限、不同NAND类型兼容性差。