国产NVMe SSD 主控芯片即将爆发？我看是！--从忆芯科技新产品发布会上看 原创

科技进步的步伐如滚滚长江不可逆流。而国产芯片的发力也进入了爆发期。对于数据存储来说，闪存不可逆流，就像现在让你用结绳记事的方式来记录数据你愿意吗? 所以说在合适的时期推出合适的产品，最为重要。基于此，国产NVMe SSD 主控芯片进入全面爆发期，在2017年11月15日，中国初创公司亿芯科技（STARBLAZE）举办了新产品发布会。

忆芯科技的现场发布会上，忆芯科技发布了NVMe SSD 主控芯片。有几个印象深刻的点分享一下：

首先，发布会的主题也很应景，“中国芯 世界梦”，创始人 CEO 沈飞是一个有梦想的人。在演讲中几次哽咽，谈到公司的创业之路的不容易。短短两年，历经FPGA技术验证、MB1000原型芯片，终于成功推出了国内首款商用NVMe SSD主控芯片STAR1000。

其次，在存储颗粒的供应商有了一个中国的身影，长江存储，在我的印象中这应该是第一次长江存储与三星、海力士、东芝等存储颗粒厂商成为SSD控制器的供应商。

第三，首款基于忆芯科技研发的控制芯片STAR1000为核心开发的固态硬盘产品推出。

最后，创造性的在存储控制芯片上内置操作系统，芯片将拥有更强运算力和深度学习能力，满足智能存储的未来需求。

亿芯科技成立短短两年，是名副其实的创新初创科技公司。忆芯科技成立于2015年11月，是国内最早致力于高性能SSD主控芯片研发的初创企业，公司始终以世界级芯片及方案公司为目标，以国产主控、助力信息安全为己任，在2016年，完成A轮融资。主要投资方包括北京集成电路制造和装备股权投资中心与贵阳工投生物医药产业创业投资有限公司。2017年完成流程全研磨芯片芯片STAR1000，基于STAR1000的SSD参考设计赢得存储ODM与闪存原厂客户的设计订单。

STAR1000是一款高端消费级入门企业级的高性能NVMe SSD主控芯片，是目前国内首款被业界主流SSD厂商所选用的主控芯片。它具有业界一流的读写性能水平，顺序读写性能分别高达3GB/s和2GB/s，随机读写性能分别高达350K和300K IOPS ，支持最新NVMe1.2协议（StarNVMe?技术）和主流MLC、3D TLC颗粒（StarFLash?技术StarLDPC?技术）。STAR1000采用TSMC 28nm HPC工艺，结合StarELP片上低功耗控制技术实现工作功耗低于2.5W，待机功耗低于5mW。无论是性能指标还是功耗表现，STAR1000都达到了国际领先水平。这是国内第一个通过PCI-SIG测试的存储控制芯片，忆芯科技也成为国内芯片行业第一个拥有PCI-SIG和IOL NVMe双认证的公司。

光宝科技T10 PLUS固态硬盘即将发售。T10 PLUS采用STAR1000作为主控芯片，搭载东芝最新3D闪存颗粒，是光宝科技首款以国产高端主控为核心开发的固态硬盘产品。T10 PLUS固态硬盘，性能达到业界领先的4K随机读IOPS 320K以及4K随机写IOPS 275K。

展望公司未来几年的产品规划，沈飞表示，继2017年推出STAR1000后，将于2018年推出“天王星”系列芯片，支持高达32TB的存储容量及高达百万的并发访问，进入数据中心和监控领域；将于2019年推出“天狼星”系列芯片，通过导入操作系统，更强运算力和深度学习，进入智慧存储新兴市场；将于2020年推出“猎户座”系列芯片， 这是存储、计算及网络的全融合芯片，它将帮助存储从传统存储磁盘演进为存储服务器，服务于演进中的数据中心。通过这一系列产品，忆芯科技将最终实现自己的“中国芯、世界梦”。