Pure Storage坚持闪存模块设计 加速FlashArray的NVMe改造

Pure Storage已经从SSD转向将其FlashArray进行NVMe的改造，实现延迟减半而带宽翻倍。新的FlashArray//X从非结构化数据的FlashBlade专有闪存驱动器和NVMe闪存重新实现中获得灵感，以打造升级的FlashArray//M。

1个FlashBlade存储刀片有8TB或者52TB容量，板载NV-RAM、超级保护写缓冲区，1个FPGA和2个ARM核心，连接到配置了PCIe和专有协议的专利系统。另外一个名为DirectFlash模块相当于FlashArray//X存储刀片，可以配置2个这种模块。它仍然使用了PCIe物理连接，但是采用NVMe协议。

Pure Storage表示，放弃使用SSD使其避免了SSD闪存转译层、垃圾回收、基于磁盘的机密和纠错会导致数据速度变慢。

FlashArray//X具有：

- //x7控制器，采用NVMe

- DirectFlash软件

- 最多两个打包，有10个2.2TB、9.1TB和18.3TB的DirectFlash模块

- 3U空间内有1PB有效容量、183TB原始容量

- 每机架15PB，超过100GByte/s带宽

- 每隔30秒发送一次到Pure的云中

FlashArray//M可配置1.9TB、3.8TB和7.6TB的闪存盘。

FlashArray//X X70控制器数据

FlashDrive基卡

DirectFlash模块是软件定义的，新的Purity阵列操作系统软件提供的闪存管理面向所有DirectFlash附加模块：

- 自适应的IO控制，带有IO调度和闪存级的QoS

- 分配、损耗均衡和垃圾回收

- 块级遥测，坏块管理和加密

Pure Storage表示，这将让Flash Drive的实时效率相比同等数量的SSD提高15%-30%，减少过量配置提高耐用性，数据延迟控制在100毫秒左右。

相比Pure Storage的FlashArray//M，FlashArray//X在65/35读写快照工作负载情况下的延迟减半，带宽翻一番。Pure Storage表示，这样通过使用10个FlashDrives模块最大限度提高性能。

Pure Storage全闪存阵列产品的市场推广资料

据Pure Storage称，FlashArray//X已经为云时代做好了准备，但是与正在准备IPO的Cloudera没有关联。这意味着FlashArray//X可以用于Tier 1存储整合、数据库加速、在机架中用机架直连存储代替一组服务器。服务器可以运行像Cassandra、REDIS、Splunk、MongoDB、MySQ等应用。

FlashArray//M可用于VMware、微软、Docker和OpenStack，FlashArray//M10则是用于Windows Server的入门级设备。

FlashBlade则准备就绪用于非结构化数据存储应用如数据分析等。

FlashArray//M和//X的对比

Pure Storage现有的客户群都可以将现有的FlashArray//M升级到FlashArray//X，而不会出现宕机时间。控制器必须升级到//X70，现有的SAS SSD支架可以保留，增加NVMe Direct Flash模块，或者用NVMe DirectFlash模块取代SAS支架。

评论

Pure Storage已经履行了将NVMe驱动器添加到FlashArray内部的承诺，因此有效地降低了延迟并提高了带宽。这并不意外，有一点令人惊讶的是，Pure Storage精简了自己专有的闪存模块设计，推出了FlashBlade。

它采用了SSD级的功能例如垃圾回收、针对耐用性的过量配置、纠错等，以全局方式作为运行在阵列控制中的软件运行。

据称，这节省了过量配置的闪存单元，也提高了耐用性。

Pure Storage称有效容量可达到1PB，1个3U FlashArray//X配满20个18.3TB的FlashDrive，似乎可以应对大多数支持重复数据删除和压缩的工作负载。Pure Storage表示，1PB的有效容量是基于他们对整体情况的观察、所有开销和平均数据精简得出的。

配置了2.2TB和9.1TB DirectFlash刀片的FlashArray//X将在该季度有限供货，在第三季度全面供货，届时将支持18.3TB的DirectFlash模块。