英特尔推出数据中心闪存卡 读取/写入IOPS可达11.4万/1万

英特尔公司近期发布了一款小型、单面且高度读取优化型SSD，专门面向数据中心场景内的服务器场景。这款P3100 SSD为M.2设计（22 x 80毫米），采用3D TLC（即三层单元）NAND。这种格式最初诞生于平板设备、轻薄型笔记本与台式机当中。由于空间有限且采用TLC（三层单元）NAND，因此其最高容量上限仅为1TB。

尺寸为22 x 80毫米的闪存卡能够提供1TB存储容量

然而，采用TLC亦意味着该设备主要面向数据读取而非写入进行针对性优化，这是因为TLC的使用寿命要低于MLC（即双层单元）闪存。通常来讲，服务器对于物理空间占用量并不是特别敏感，因此一般会采用2.5英寸SSD。英特尔公司希望凭借自家P3100 SSD产品在服务器空间有限且读取IO重要性远高于写入IO的市场空间内占得一席之地。

其随机读取/写入IOPS最高分别可达11.4万/1万，而连续读取/写入传输带宽则分别可达1.8 GBps与175 MBps。这样的性能水平明显专门为数据读取而进行了优化。

另外，其还支持每天0.5次全盘写入（简称DWPD）情况下的三年正常使用周期，0.3 DWPD则为五年，同时提供五年质保服务。该产品在闲置状态下的功耗为10毫瓦，英特尔方面表示这一水平较传统企业级磁盘驱动器低90%，且活动状态下的平均功耗为5.5瓦。

不过，P3100 SSD并不提供断电数据保护功能，但在另一方面，该驱动器具备AES-256位加密能力。数据中心内适合P3100的应用场景包括作为引导设备、搜索索引、边界缓存以及Web托管等，英特尔公司指出。

相比之下，英特尔旗下同样采用M.2格式的600p SSD则属于客户端设备，意味着其主要面向笔记本与平板电脑，这款NVMe SSD同样选择了3D TLC NAND介质，容量水平以及160万小时平均故障时间（简称MTBF）亦与P3100相当。其随机读取/写入IOPS最高分别可达15万5千/12万8千，而连续读取/写入传输带宽则分别可达1.8 GBps与560 MBps。在名义上，其随机读取IOPS性能更强，且随机写入IOPS也更高，意味着其性能表现更为均衡。

根据目前掌握的情况，英特尔公司的商务客户端Pro 6000p与物联网E 6000p属于600p的衍生型产品。而P3100看起来亦像是经过调整的600p。

英特尔DC P3100参数表

另外，三星公司亦拥有自己的960 EVO与960 PRO M.2客户端SSD，其最高容量为1 TB，且采用3D NAND介质（48层，256 Gbit 21纳米TLC V-NAND）。其速度表现较P3100更为出色：

• 960 EVO
• 随机读取/写入IOPS分别可达宽8万/36万。
• 连续读取/写入传输带宽最高分别可达3.2 GBps与1.9 GBps。
• 960 PRO
• 随机读取/写入IOPS分别可达宽44万/36万。
• 连续读取/写入传输带宽最高分别可达3.5 GBps与2.1 GBps。

而美光亦拥有一款1100 SSD，分别提供2.5英寸与M.2格式，其采用6 Gbps SATA接口。其中M.2 100的容量分别为256 GB、512 GB与1 TB，采用32层3D NAND。（其中2.5英寸版本的最高容量可达2 TB。）其拥有150万小时平均故障时间，不同于P3100的160万小时。

其性能参数如下：

• 随机读取/写入IOPS分别可达宽9万2千/8万3千。
• 连续读取/写入传输带宽最高分别可达530 MBps与500 GBps。

这意味着其读取速度远低于P3100，但写入速度更高。

当英特尔与美光推出下一代3D NAND时，我们预计M.2 SSD将能够实现2 TB容量上限，其应该将带来更快的写入IO以及更长的DWPD使用寿命。如此一来，相信会有更多服务器供应商乐于将其引入数据中心方案之内。