WDC和东芝开始试生产64层3D NAND

西数通过收购SanDisk，和东芝一起开始试生产64层3D NAND。

据悉，这些第三代BiCS3芯片是在位于日本四日市WDC与东芝合资公司的晶圆工厂生产的。目前已经推出48层的3D V-NAND芯片。64层是下一代芯片，进一步增加了每个芯片的容量。

西数公司内存技术高级副总裁Siva Sivaram博士在声明中称："BiCS3将采用3-bit-per-cell技术，以及高纵横比半导体工艺上取得的成果。首批芯片是356Gbit的，未来将增加到500Gbit。"

BiCS2 48层芯片是256Gbit的，因此如果生产出更高容量的芯片就没有优势了。这意味着64层芯片的模片相比48层BiCS2芯片是缩小了，WDC/东芝将在提着手制造更高容量的芯片之前提供这项技术和生产流程。

最初的BiCS3产品将从今年晚些时候开始生产，用于商业的批量生产将从2017年上半年开始。

BiCS3芯片的代工采样将从这个季度开始，针对零售市场的批量出货将从2016年第四季度开始。目前第二代BiCS2 3D NAND芯片将继续出货给零售客户和OEM客户。

我们也可以期待三星64层V-NAND芯片在2017年供货。英特尔和美光都开始了对3D的探索，都有了NAND和更高速的XPoint。明年将是非易失性内存的爆发年。