Pure Storage欲构建FlashArray系统

Pure Storage公司在本月初于旧金山召开的Accelerate大会上展出了一款即将推出的高端FlashArray//m系统，其可用存储容量超过现有顶级m70机型的三倍。将于今年晚些时候正式推出。

通过演示文稿可以看到，这款新系统拥有：

• 1.5 PB可用存储容量

• 4 TB与8 TB 3D NAND模块（SSD）

• 可支持数千套虚拟机系统

• 始终在线服务质量承诺

• 每GB可用存储容量成本低于1美元

通过本届Accelerate大会发布的以下内容，可以看到控制器机柜之下只提供两套扩展架。每套扩展架似乎可容纳24个闪存模块。通过简单计算，我们发现48 x 8 TB=384 TB原始容量，其经过数据削减换算恰好可实现1.5 PB实际可用容量。

Pure Accelerate大会上公布的演示文稿

目前的m70配备512 GB、1 TB或者2 TB闪存模块，因此新设备--采用4 TB或者8TB SSD且拥有48插槽--将在原始与实际可用容量方面提升近四倍。Pure公司m70的容量水平需要由3U控制器设备与四套2U扩展架实现，每扩展架拥有24个插槽。而新系统则应该能够降低机架空间占用量。如果上图所示为全配置方案的话。

根据说明，新的FlashArray可能由现有FlashArray//m架构配合高端控制器共同构成，其中每控制器配备1 TB或者更高内存，旨在实现全局重复数据删除并管理如此可观的存储容量。

我们根据目前掌握的情况汇总出以下规格表，其中新设备并暂时定名为m90--当然，这只是我们的猜测。

绿色一列为经过强化的FlashArray//m家族新成员。

William Blair公司分析师Jason Ader整理出了当前各存储供应商旗下全闪存阵列产品及其原始存储容量：

Jason Ader整理的全闪存阵列原始存储容量表

如果我们将其转化为柱状图，并加入Pure即将发布的这款新阵列，那么结果将如下所示：

可以看到，384 TB原始存储容量仍然非常可怜--这款全新FlashArray勉强超过了现有XtremIO、NetApp的EF系列以及SolidFire产品线。当然，Pure公司的//m70则处于垫底位置。

IBM的FlashSystem与EMC的VNXe3200在原始容量方面皆高于即将推出的FlashArray，而Kaminario的K2与Violin的7700亦保持领先。虽然Pure打造的FlashBlade同样不可能在未来一年当中超越1.6 PB容量水平，但由于其面向非结构化数据，因此未被直接纳入本轮对比。

惠普企业业务公司的StoreServ 20850则在原始容量方面占据绝对优势。

全闪存阵列产品的原始存储容量拥有很强的规律性，其直接反映着所使用的不同SSD、闪存芯片供应商、平面与3D NAND乃至MLC或者TLC芯片。不同的数据体积削减技术也在其中起到一定作用，事实上目前市场最为关注的正是存储产品的实际可用容量。

可以肯定的是，存储技术的发展演变仍将继续，未来六到十二个月内这份图表的内容将经历一番剧变。

再提一句：Pure公司采用的是三星公司的3D V-NAND闪存芯片SSD，目前的相关PM863/PM1633产品最高容量为3.84 TB，采用30纳米32层128 Gbit TLC芯片。

其中PM1633a则采用次30纳米48层256 Gbit TLC V-NAND芯片，存储容量为7.68 TB与15.36 TB。这款产品即将于本月发售。而东芝/SanDisk以及美光也将陆续推出自己的v3D NAND芯片，相信这将在全闪存阵列产品线中掀起新一轮升级浪潮。