九月份的IDF峰会上,Intel正式宣布了“Xeon D”,也就是此前代号Broadwell-DE、面向微型服务器、嵌入式通信与存储市场的第三代产品,将取代此前的Atom S1200/C2000。
Xeon D自然也是14nm工艺产物,它会是一个很大的单芯片SoC,身材和功耗更小,而且最多八个CPU核心,同时支持DDR3/DDR4 ECC。
这可要比消费领域Broadwell的双芯片、最多四核心、仅支持DDR3要强太多了。
而除了TXT、AVX2、TSX指令集,VT-x、VT-d虚拟化这些常规技术,它还会额外支持内存RAS特性,并且有大量的I/O接口。
Xeon D将在2015年上半年发布,但是第二季度首发的只有一款高端八核,热设计功耗45W,网络功能受限而仅面向微型服务器。
全面爆发还得等第三季度,其中用于微型服务器的有八核、六核、四核三款型号,热设计功耗都是45W。
嵌入式领域的则有八核45/35W、六核35W、四核35/25W,以及两款双核,其一25W,其二不到20W,不过后者会划入奔腾序列。
如果这一切能出现在明年的笔记本里该多好啊……
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