东芝计划到2017年将芯片供电压降低至0.5伏

东芝正准备公布一项低功耗半导体技术，并表示将于2017年将相关产品正式投放市场。

低功耗已经现在当今芯片领域的一种灵丹妙药：这意味着需要从半导体本身排出的热量更少。反过来讲，低功耗机制也能让设备以更高时钟速率进行运作（因为时钟速率越高、所消耗的功率也就越大）。

根据Nikkei Technology网站的说法，东芝此次发布内容的基础为TFET技术——也就是隧道场效应晶体管技术。

东芝公司声称，这套技术方案能够在更低供电压之下提供更快的转换速度。金属氧化物半导体场效应晶体管（简称MOSFET）“由于电子的热扩散特性”，而不可避免地会在每十个晶体管低于60毫瓦功率时遭遇斜率系数的缩减瓶颈。

而隧道场效应晶体管能够利用电子的带间隧道（属于量子力学而非经典物理学范畴）进行状态转换，从而进一步降低斜率系数并最终带来更低功耗水平。

Nikkei Technology网站在报道中指出，东芝计划公布的这项隧道场效应晶体管技术将把现有芯片运行电压降低一半——“具体数值为0.5伏以下”——而在切换至关闭状态后，其功耗更是仅为现有“金属氧化物晶体管的约百分之一”。

东芝公司的研究工作一直与绿色纳米电子中心合作进行，后者为日本国家先进工业科学与技术研究所的下辖项目之一。

东芝方面还指出，其隧道场效应晶体管能够通过与互补金属氧化物半导体（简称CMOS）类似的制程工艺下进行制造，并有望出现在可穿戴设备、智能手机以及传感产品之上。