半导体市场研究人员称：3D NAND不需要TSV

来自Objective Analysis公司的芯片业务分析师Jim Handy就最近3D NAND技术的相关问题提出了自己的观点，而我们（El Reg网站存储频道）则邀请他就其中几个简短问题作出了进一步阐述。

他的回应实在非常简洁，因此我们甚至不需要对他的发言进行重新整理——请一起来看具体情况。

El Reg:  3D NAND当中到底有没有使用TSV（即硅通孔技术——以垂直电子连接贯穿整个芯片）？如果没有使用，理由又是什么？

Jim Handy: 3D NAND当中并没有采用TSV，理由很简单——根本不需要。TSV的作用在于连接不同芯片，而3D NAND本身就是单独的一块芯片。

El Reg: 那么3D NAND是否使用了平面单元堆叠技术？

Jim Handy: 3D NAND使用的是侧向单元。这种设计与平面单元存在很大的不同。其实如果能不再将其称为“3D”、转而使用“侧向”NAND这种称呼，大家可能就会对其设计思路拥有更清晰的印象与更准确的把握。

El Reg: 平面NAND与3D NAND中的闪存单元在几何开关上有哪些不同之处？3D NAND会给光蚀刻工艺带来怎样的影响？

Jim Handy: 3D NAND单元的形状上类似于甜甜圈，而平面单元则是又扁又方。我们很难直接就“大小”对二者者比较，因为它们是由多种不同组成部分汇聚所构成。3D NAND芯片的制造方面对光蚀刻技术的要求并不高，因此制造商可以利用40到50纳米这类要求更为宽松的制程技术——不过这种结构中的层数更高。

Jim Handy:三星公司已经实现了较高的产品可靠性表现，但并没有发布规范来巩固这一技术成果。一位专业素养出众的记者曾在去年八月发表过一篇题为《三星正在打造3D NAND闪存芯片》的文章。作者在文中指出：“我猜测该公司所使用的电荷限制技术能够降低产品的规定能耗并延长其使用寿命，因此这就实现了双赢目标：不仅写入功耗更低、使用周期也更长。不过就个人而言，我对这套方案并不乐观。”

不过这位分析师继而敏锐地发现了其它端倪。“我发现了一种有趣的现象，目前三星正在生产其2G 3D V-NAND，但在该公司之外我没遇到过任何一家曾经见识过其1G 3D V-NAND产品的企业用户。”

TSV属于芯片之间的连接方案，因为单独一块芯片根本不需要这项技术。没错，这就是我们要找的答案——请大家把它记在脑袋里或者写在电脑的屏幕保护程序当中。