SK hynix以AIN三重战略引领AI闪存新纪元

SK hynix正在三个方向上扩展其NAND技术：速度、容量和带宽，以满足AI数据存储性能和数据量需求。

AIN（AI NAND）是SK hynix的AI NAND战略，包含性能（AIN P）、密度（AIN D）和带宽（AIN B）三个产品开发方向。AIN P驱动器将处理大规模AI推理工作负载产生的大量数据。PB级别的AIN D固态硬盘旨在通过以低功耗和成本存储大量AI数据来替代磁盘驱动器，实现固态硬盘速度和硬盘成本效率的结合。

AIN-B闪存采用高带宽闪存（HBF）概念，将闪存芯片堆叠在中介层上方，中介层将这些并行运行的芯片连接到GPU。这一AIN产品倡议在加利福尼亚州圣何塞举行的"2025年OCP（开放计算项目）全球峰会"上发布。

SK hynix专注于AI推理，并在推理工作流程的不同阶段看到了不同的NAND驱动器需求。

AIN P驱动器设想为PCIe Gen6驱动器，具备5000万IOPS性能，数据访问块为512B，相比之下，当前用于随机读写IOPS的4KB块在PCIe gen 6固态硬盘上运行约700万IOPS级别。据SK hynix幻灯片显示，美光的9650 Pro和Max PCIe Gen 6驱动器的随机读取IOPS为550万。SK hynix的AIN P驱动器将比它们快7倍，公司表示，1亿IOPS型号可能在2027年推出。

AIN P将配备专为执行传统和高IOPS工作负载设计的控制器，采用EDSFF E3.x外形规格构建。SK hynix正在设计AIN P NAND样品，希望在2026年底前准备就绪。

AIN B NAND使用HBF（高带宽闪存）技术。SK hynix表示，AIN B将具有比固态硬盘更高的吞吐量，大致相当于使用类似堆叠芯片概念的高带宽内存（HBM），只是用于DRAM。AIN B产品将具有比HBM更高的容量，大约达到固态硬盘容量水平。AIN B可以增强GPU的有效内存容量，从而避免需要购买/租用更多GPU来获得更多HBM容量，例如存储KV缓存内容。

这种HBF堆叠可以与HBM堆叠共同定位，共享相同的中介层基础。SK hynix和闪迪正在合作推广HBF标准。

AIN D磁盘替代固态硬盘将具有PB级容量，称为近线（NL）固态硬盘。幻灯片文本提到"JEDEC-NLF"，其中JEDEC是半导体标准机构，NLF表示近线闪存。目前没有公共JEDEC NLF标准，因此这可能是正在进行的工作。图形没有提到PLC（5位/单元）NAND，因此我们可能暂时假设NL-SSD使用QLC闪存。

SK hynix幻灯片显示其AIN产品系列将如何适配数据中心。这是一个清晰且逻辑性强的图景。

看SK hynix的NAND路线图，似乎其子公司Solidigm并不存在。AIN D高容量企业级固态硬盘似乎独立于Solidigm的高容量QLC固态硬盘技术。实际上，Solidigm凭借其D5-P5336 192L QLC 61.44和122.88 TB驱动器开创了高容量近线级固态硬盘。Solidigm的路线图包括超过2XX层数，以及245 TB QLC固态硬盘，预计在2026年底前出货。

公司表示正在开始量产321层QLC 2 Tb芯片，这是首个使用QLC技术实现超过300层的产品，将在2026年上半年出货。

Q&A

Q1：AIN战略是什么？包含哪些产品方向？

A：AIN（AI NAND）是SK hynix的AI NAND战略，包含三个产品开发方向：性能（AIN P）、密度（AIN D）和带宽（AIN B），分别针对不同的AI数据存储需求。

Q2：AIN P驱动器的性能表现如何？

A：AIN P驱动器设想为PCIe Gen6驱动器，具备5000万IOPS性能，比当前PCIe gen 6固态硬盘快7倍，SK hynix表示1亿IOPS型号可能在2027年推出。

Q3：AIN B技术与传统存储有什么区别？

A：AIN B使用高带宽闪存技术，将闪存芯片堆叠在中介层上连接到GPU，具有比固态硬盘更高的吞吐量，容量约达固态硬盘水平，可以增强GPU的有效内存容量。