铠侠正在提供最新UFS v4.1嵌入式智能手机和平板电脑闪存样品,该产品具备更快的下载速度,可为设备端AI提供更流畅的应用性能。
UFS(通用闪存存储)是指用于智能手机、平板电脑、数码相机和小型游戏机的小型闪存卡,大小约为指甲盖。JEDEC标准定义了UFS特性,其v4.1标准于今年1月发布。UFS 4.0标准定义了采用TLC NAND的双通道设备,通过MIPI M-PHY v5.0和UniPro v2.0,两个通道以23.2 Gbps(2900 MBps)运行,提供约4.2 GBps的最大带宽。
UFS v4.1新增以下功能:
主机发起的碎片整理:通过主机发起的数据碎片整理优化读取流量的新机制,实现更有效的内存维护。这使得垃圾收集可以延迟执行,在关键时刻保持不间断的快速性能。
WriteBooster缓冲区调整和部分刷新:允许主机请求缓冲区调整、数据固定和更精细的刷新操作,以最大化系统吞吐量。
永久可启动逻辑单元:逻辑单元现在可以配置为永久可启动。
RPMB身份验证:通过重放保护内存块(RPMB)身份验证保护供应商特定命令的执行。
增强的异常类型:提供更快的恢复、改进的健康通知和快速错误处理。
增强内存逻辑单元的精度提升:为四级单元(QLC)NAND实现(具有更大容量)铺平道路。
向后兼容UFS v4.0、3.1和3.0。
铠侠的UFS v4.1样品芯片采用其218层TLC 3D NAND(BiCS8代)技术,半导体逻辑层直接键合到NAND阵列(CBA),有助于提高密度、电气效率和性能。
该产品提供256 GB、512 GB和1 TB容量规格,性能超越铠侠的v4.0产品:
随机写入:512 GB/1 TB约提升30%
随机读取:512 GB约提升45%,1 TB约提升35%
功耗效率也有所改善:
读取:512 GB/1 TB约改善15%
写入:512 GB/1 TB约改善20%
据了解,铠侠的v4.0 UFS芯片使用了其BiCS 6技术,具有162层,CMOS逻辑层位于NAND阵列下方(CUA)但未直接键合。BiCS 8密度更高,功耗效率更佳。
v4.1 1 TB芯片比v4.0芯片略小,封装高度降低。在智能手机中集成组件时,每一毫米都至关重要。
美光、三星、SK海力士和西部数据(现为闪迪)都在1月份表示将推出UFS v4.1设备,因此铠侠不会独自提供样品太久。
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